[发明专利]包含接合到支撑管芯的两侧的存储器管芯的三维半导体芯片及其制造方法在审
申请号: | 201980079706.2 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN113169183A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 周非;R·S·马卡拉;A·拉贾谢哈尔;R·沙朗帕尼 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11582;H01L23/00;H01L23/522 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 接合 支撑 管芯 两侧 存储器 三维 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种接合组件,包括:
支撑管芯,所述支撑管芯包括外围电路、电连接到所述外围电路的第一子集的前支撑管芯接合垫和电连接到所述外围电路的第二子集的背侧接合结构;
第一存储器管芯,所述第一存储器管芯包括第一存储器元件三维阵列和接合到所述前支撑管芯接合垫的第一存储器管芯接合垫;和
第二存储器管芯,所述第二存储器管芯包括第二存储器元件三维阵列和接合到所述背侧接合结构的第二存储器管芯接合垫。
2.根据权利要求1所述的接合组件,其中导电路径在所述前支撑管芯接合垫中的一个前支撑管芯接合垫与所述背侧接合结构中的一个背侧接合结构之间延伸穿过所述支撑管芯。
3.根据权利要求2所述的接合组件,其中所述导电路径连接到所述支撑管芯中的所述外围电路中的一个外围电路的节点。
4.根据权利要求1所述的接合组件,其中所述外围电路的所述第一子集与所述外围电路的所述第二子集的交集包括所述外围电路的第三子集,所述外围电路的所述第三子集电连接到所述第一存储器管芯内的电节点和所述第二存储器管芯内的电节点。
5.根据权利要求1所述的接合组件,其中所述外围电路包括感测放大器和第一可切换电连接电路,其中所述第一可切换电连接电路被配置为将所述感测放大器连接到选自以下的一组节点:
定位在所述第一存储器管芯内的一组第一位线;和
定位在所述第二存储器管芯内的一组第二位线。
6.根据权利要求5所述的接合组件,其中所述外围电路包括字线驱动器和第二可切换电连接电路,其中所述第二可切换电连接电路被配置为将所述字线驱动器连接到选自以下的一组节点:
定位在所述第一存储器管芯内的一组第一字线;和
定位在所述第二存储器管芯内的一组第二字线。
7.根据权利要求1所述的接合组件,其中所述外围电路包括:
第一位线驱动器,所述第一位线驱动器通过所述前支撑管芯接合垫的第一子集和所述第一存储器管芯接合垫的第一子集连接到所述第一存储器管芯内的第一位线;
第二位线驱动器,所述第二位线驱动器通过所述背侧接合结构的第一子集和所述第二存储器管芯接合垫的第一子集连接到所述第二存储器管芯内的第二位线;
第一字线驱动器,所述第一字线驱动器通过所述前支撑管芯接合垫的第二子集和所述第一存储器管芯接合垫的第二子集连接到所述第一存储器管芯内的第一字线;和
第二字线驱动器,所述第二字线驱动器通过所述背侧接合结构的第二子集和所述第二存储器管芯接合垫的第二子集连接到所述第二存储器管芯内的第二字线。
8.根据权利要求1所述的接合组件,其中:
所述外围电路包括源极电源电路,所述源极电源电路被配置为驱动所述第一存储器管芯中的第一源极线和所述第二存储器管芯中的第二源极线;并且
所述支撑管芯包括源极配电网络,所述源极配电网络包括金属互连结构的子集并且连接到所述源极电源电路、所述前支撑管芯接合垫的子集和所述背侧接合结构的子集。
9.根据权利要求1所述的接合组件,还包括:
外部接合垫,所述外部接合垫定位在所述支撑管芯上;和
焊料结构,所述焊料结构定位在所述外部接合垫上。
10.根据权利要求1所述的接合组件,还包括:
外部接合垫,所述外部接合垫定位在所述第一存储器管芯和所述第二存储器管芯中的至少一者上;和
焊料结构,所述焊料结构定位在所述外部接合垫上。
11.根据权利要求1所述的接合组件,其中所述背侧接合结构中的一个背侧接合结构包括贯穿衬底通孔结构,所述贯穿衬底通孔结构延伸穿过所述支撑管芯的半导体衬底,通过管状绝缘间隔物与所述半导体衬底横向电绝缘,并且与所述第二存储器管芯接合垫中的一个第二存储器管芯接合垫接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的