[发明专利]具有弯曲存储器元件的三维平坦NAND存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器器件，包括：

导电条带和气隙条带的交替堆叠，所述交替堆叠位于衬底上方并且通过存储器堆叠组件彼此横向间隔开，其中所述存储器堆叠组件沿第一水平方向横向延伸并且沿第二水平方向彼此间隔开，其中：

所述存储器堆叠组件中的每个存储器堆叠组件包括横向突起区的两个二维阵列；

所述横向突起区从包括存储器堆叠组件与所述气隙条带的子集之间的界面的相应竖直平面横向向外突起；

所述横向突起区中的每个横向突起区包括相应的弯曲电荷存储元件；

所述存储器堆叠组件中的每个存储器堆叠组件包括两行竖直半导体沟道；并且

所述两行竖直半导体沟道内的每个竖直半导体沟道横向覆盖在电荷存储元件的相应竖直堆叠上面。

2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中：

所述存储器堆叠组件中的每个存储器堆叠组件包括两个隧穿介电层；并且

所述两个隧穿介电层中的每个隧穿介电层接触从所述两行竖直半导体沟道中选择的相应行的竖直半导体沟道。

3.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述存储器堆叠组件中的每个存储器堆叠组件包括介电芯，所述介电芯沿所述第一水平方向横向延伸并且接触所述两行竖直半导体沟道内的每个竖直半导体沟道的内侧壁。

4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，其中每行竖直半导体沟道内的竖直半导体沟道通过竖直延伸的区域沿所述第一水平方向横向间隔开，在所述竖直延伸的区域中，所述介电芯接触所述两个隧穿介电层中的一个隧穿介电层。

5.根据权利要求2所述的二维存储器器件，其中所述两个隧穿介电层中的每个隧穿介电层接触位于横向突起区的二维阵列中的电荷存储元件的二维阵列。

6.根据权利要求2所述的二维存储器器件，其中所述两行竖直半导体沟道内的每个竖直半导体沟道包括位于所述导电条带的层级处的横向凸块部分的竖直堆叠。

7.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中：

所述存储器堆叠组件中的每个存储器堆叠组件包括两个阻挡介电层；并且

所述两个阻挡介电层中的每个阻挡介电层在所述气隙条带的每个层级处以及在电荷存储元件的每个相邻对的竖直堆叠之间接触所述两个隧穿介电层中的相应一个。

8.根据权利要求7所述的三维存储器器件，其中：

所述导电条带中的每个导电条带包括相应的金属阻挡层和形成在所述相应的金属阻挡层内的金属填充材料的相应部分；并且

所述两个阻挡介电层中的每个阻挡介电层接触所述金属阻挡层的子集的侧壁。

9.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述电荷存储元件包括不彼此直接接触的离散浮栅或介电电荷捕获材料部分。

10.根据权利要求9所述的三维存储器器件，其中所述电荷存储元件中的每个电荷存储元件包括：

凹形内侧壁，所述凹形内侧壁在水平剖面图中具有水平凹形轮廓；和

凸形外侧壁，所述凸形外侧壁在所述水平剖面图中具有水平凸形轮廓。

11.根据权利要求9所述的三维存储器器件，其中：

在竖直剖面图中，所述凹形内侧壁在相应的电荷存储元件的上边缘区处和下边缘区处具有竖直凹形轮廓；并且

在所述竖直剖面图中，所述凸形外侧壁在所述相应的电荷存储元件的所述上边缘区处和所述下边缘区处具有竖直凸形轮廓。

12.根据权利要求9所述的三维存储器器件，其中所述电荷存储元件中的每个电荷存储元件位于第一水平平面与第二水平平面之间，所述第一水平平面包括所述导电条带中的相应一个的顶表面，所述第二水平平面包括所述导电条带中的所述相应一个的底表面。