[发明专利]电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体

说明书

阻抗匹配膜10包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构。阻抗匹配用阻抗匹配膜10具有5cmsupgt;2/supgt;/(V·s)以上的霍尔迁移率。阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。

技术领域

本发明涉及电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体。

背景技术

以往，已知使用氧化铟锡(ITO)等包含氧化铟和氧化锡的物质来实现阻抗匹配的技术。

例如，根据专利文献1，说明了以往的λ/4型电波吸收体是将作为电阻覆膜的ITO、电介质和导电层层叠而得到的结构。在λ/4型电波吸收体中，通过作为电阻覆膜的ITO实现了阻抗匹配。另一方面，根据专利文献1，指出ITO的非晶膜的在大气中的耐久性低。因此，在专利文献1中，为了制造发挥优异的耐久性的λ/4型电波吸收体，提出了包含含有5重量％以上的钼的合金的λ/4型电波吸收体用电阻覆膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-56562号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在专利文献1中既没有记载也没有启示将ITO的非晶膜用于电阻覆膜而能够提高λ/4型电波吸收体的耐久性。而且，在专利文献1中，未评价长期暴露在高温环境(例如，125℃的环境)中时的电阻覆膜的耐久性。

基于这样的情况，本发明提供一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构，并且在长期暴露在高温气氛中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于保持所期望的特性。而且，本发明提供具有这样的阻抗匹配膜的电波吸收体和电波吸收体用层叠体。

用于解决问题的手段

本发明提供一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构，

所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有5cm²/(V·s)以上的霍尔迁移率，并且

所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。

另外，本发明提供一种带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜，其中，所述带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜具有：

基材、和

上述阻抗匹配膜。

另外，本发明提供一种电波吸收体，其中，所述电波吸收体具有：

上述阻抗匹配膜、

反射电波的导电体、和

在所述阻抗匹配膜的厚度方向上配置在所述阻抗匹配膜与所述导电体之间的电介质层。

另外，本发明提供一种电波吸收体用层叠体，其中，所述电波吸收体用层叠体具有：

上述阻抗匹配膜、和

配置成在所述阻抗匹配膜的厚度方向上与所述阻抗匹配膜接触的电介质层。

发明效果

在长期暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，上述电波吸收体用阻抗匹配膜有利于保持所期望的特性。

附图说明

图1为表示本发明的电波吸收体用阻抗匹配膜的一例的剖视图。

图2A为表示本发明的电波吸收体的一例的剖视图。