[发明专利]太赫兹装置以及太赫兹装置的制造方法

说明书

太赫兹装置(A1)具备第一树脂层(21)、柱状导电体(31)、布线层(32)、太赫兹元件(11)、第二树脂层(22)以及外部电极(40)。第一树脂层(21)具有第一树脂层主面(211)及第一树脂层背面(212)。柱状导电体(31)具有第一导电体主面(311)及第一导电体背面(312)，在z方向上贯通第一树脂层(21)。布线层(32)跨过第一树脂层主面(221)和第一导电体主面(311)。太赫兹元件(11)具有元件主面(111)及元件背面(112)，进行太赫兹波与电能的转换。第二树脂层(22)具有第二树脂层主面(221)及第二树脂层背面(222)，覆盖布线层(32)及太赫兹元件(11)。外部电极(40)相比第一树脂层(32)配置在第一树脂层背面(222)所朝向的方向侧，与柱状导电体(31)导通。太赫兹元件(11)与布线层(32)导通接合。

技术领域

本公开涉及太赫兹装置以及该太赫兹装置的制造方法。

背景技术

近年来，晶体管等电子设备的微小化不断发展，电子设备的大小成为纳米尺寸，因此观测到被称为量子效应的现象。而且，正在进行以实现利用了该量子效应的超高速设备、新功能设备为目标的开发。在这样的环境中，尤其尝试了利用频率为0.1～10THz的被称为太赫兹频带的频率区域来进行大容量通信、信息处理或者成像、测量等。该频率区域兼具光和电波双方的特性，若实现在该频带进行动作的设备，则除了能够利用于上述的成像、大容量通信、信息处理以外，还能够利用于物性、天文、生物等各种领域内的测量等多种用途。

作为将太赫兹频带的频率的高频电磁波进行振荡的元件，已知有集成谐振隧穿二极管(RTD：Resonant Tunneling Diode)和微小缝隙天线的构造的元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-80448号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本公开的主要课题在于，提供在将太赫兹元件进行模块化的方面优选的封装构造的太赫兹装置以及该太赫兹装置的制造方法。

用于解决课题的方案

由本公开的第一方面提供的太赫兹装置的特征在于，具备：第一树脂层，其具有在第一方向上分离的第一树脂层主面及第一树脂层背面；第一导电体，其具有朝向与上述第一树脂层主面相同的方向的第一导电体主面以及朝向与上述第一树脂层背面相同的方向的第一导电体背面，且在上述第一方向上贯通上述第一树脂层；第一布线层，其跨过上述第一树脂层主面和上述第一导电体主面；太赫兹元件，其具有朝向与上述第一树脂层主面相同的方向的元件主面以及朝向与上述第一树脂层背面相同的方向的元件背面，且进行太赫兹波与电能的转换；第二树脂层，其具有朝向与上述第一树脂层主面相同的方向的第二树脂层主面以及与上述第一树脂层主面接触的第二树脂层背面，且覆盖上述第一布线层及上述太赫兹元件；以及外部电极，其相比上述第一树脂层配置在上述第一树脂层背面所朝向的方向侧，且与上述第一导电体导通，上述太赫兹元件与上述第一布线层导通接合。