[发明专利]用于集成传感器装置的样本井制造技术及结构在审
申请号: | 201980080210.7 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN113329819A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 陈国钧;詹姆斯·比奇;凯瑟琳·克罗斯;杰瑞米·雷克伊;杰勒德·施密德 | 申请(专利权)人: | 宽腾矽公司 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成 传感器 装置 样本 制造 技术 结构 | ||
1.一种形成集成装置的方法,该方法包括:
使样本井形成于基板的包覆层内;
使牺牲间隔物层形成于该基板上及该样本井中;
执行该牺牲间隔物层的定向蚀刻以使牺牲侧壁间隔物形成于该样本井的侧壁上;
使提供生物分子的附接位置的功能层形成于该基板上及该样本井中;及
移除该牺牲间隔物材料。
2.如权利要求1所述的方法,其中移除该牺牲间隔物材料导致该功能层仅安置于该样本井的底面上。
3.如权利要求1或权利要求2所述的方法,其中该牺牲间隔物层包括Al2O3。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其中形成该样本井进一步包括:
使金属堆叠形成于该基板的该包覆层上;
使孔隙形成于该金属堆叠中;
使保形间隔物层形成于该金属堆叠上及该孔隙中;
执行该保形间隔物层的定向蚀刻以使保护侧壁间隔物形成于该金属堆叠的至少一金属层的暴露侧壁上;及
蚀刻至该包覆层中。
5.如权利要求4所述的方法,其中该金属堆叠包括至少一含铝层及至少一含钛层。
6.如权利要求4或权利要求5所述的方法,其中通过等离子增强型化学气相沉积(PECVD)来形成该保形间隔物层。
7.如权利要求6所述的方法,其中该保形间隔物层选自以下的群组:非晶硅(α-Si)、SiO2、SiON及SiN。
8.如权利要求4或权利要求5所述的方法,其中通过原子层沉积(ALD)来形成该保形间隔物层。
9.如权利要求8所述的方法,其中该保形间隔物层选自以下的群组:TiO2、Al2O3、SiO2及HfO2。
10.如权利要求1至9中任一项所述的方法,其中该功能层包括用于附接链霉亲和素标记的生物分子的生物素功能位点。
11.如权利要求1至10中任一项所述的方法,其中该功能层包括用于随后附接生物素功能位点的中间耦合剂。
12.如权利要求11所述的方法,其中该中间耦合剂包括用于附接生物素-叠氮化合物的炔烃耦合剂。
13.如权利要求11所述的方法,其中该中间耦合剂包括用于附接生物素-硫醇的异氰酸酯耦合剂。
14.如权利要求11所述的方法,其中该中间耦合剂包括用于附接生物素-硫醇的环氧耦合剂。
15.如权利要求1至14中任一项所述的方法,其中选择该功能层来促进生物素-硅烷直接键合至该包覆层的材料。
16.如权利要求1至15中任一项所述的方法,其中该功能层包括一种以上组成,其中选择至少一组成来提供该样本井的底面的防污性质。
17.如权利要求1至16中任一项所述的方法,其进一步包括使用硅烷化学来将该功能层附接至该样本井的暴露底面。
18.如权利要求17所述的方法,其中该硅烷化学包括被配置以实现相对于金属氧化物表面选择性附接至所述SiO2表面的烷氧基硅烷化学。
19.如权利要求18所述的方法,其进一步包括使用液相处理来涂覆该功能层。
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