[发明专利]用于集成传感器装置的样本井制造技术及结构在审

专利信息
申请号: 201980080210.7 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN113329819A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 陈国钧;詹姆斯·比奇;凯瑟琳·克罗斯;杰瑞米·雷克伊;杰勒德·施密德 申请(专利权)人: 宽腾矽公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 谭营营;胡彬
地址: 美国康*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 集成 传感器 装置 样本 制造 技术 结构
【权利要求书】:

1.一种形成集成装置的方法,该方法包括:

使样本井形成于基板的包覆层内;

使牺牲间隔物层形成于该基板上及该样本井中;

执行该牺牲间隔物层的定向蚀刻以使牺牲侧壁间隔物形成于该样本井的侧壁上;

使提供生物分子的附接位置的功能层形成于该基板上及该样本井中;及

移除该牺牲间隔物材料。

2.如权利要求1所述的方法,其中移除该牺牲间隔物材料导致该功能层仅安置于该样本井的底面上。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法,其中该牺牲间隔物层包括Al2O3

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其中形成该样本井进一步包括:

使金属堆叠形成于该基板的该包覆层上;

使孔隙形成于该金属堆叠中;

使保形间隔物层形成于该金属堆叠上及该孔隙中;

执行该保形间隔物层的定向蚀刻以使保护侧壁间隔物形成于该金属堆叠的至少一金属层的暴露侧壁上;及

蚀刻至该包覆层中。

5.如权利要求4所述的方法,其中该金属堆叠包括至少一含铝层及至少一含钛层。

6.如权利要求4或权利要求5所述的方法,其中通过等离子增强型化学气相沉积(PECVD)来形成该保形间隔物层。

7.如权利要求6所述的方法,其中该保形间隔物层选自以下的群组:非晶硅(α-Si)、SiO2、SiON及SiN。

8.如权利要求4或权利要求5所述的方法,其中通过原子层沉积(ALD)来形成该保形间隔物层。

9.如权利要求8所述的方法,其中该保形间隔物层选自以下的群组:TiO2、Al2O3、SiO2及HfO2

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法,其中该功能层包括用于附接链霉亲和素标记的生物分子的生物素功能位点。

11.如权利要求1至10中任一项所述的方法,其中该功能层包括用于随后附接生物素功能位点的中间耦合剂。

12.如权利要求11所述的方法,其中该中间耦合剂包括用于附接生物素-叠氮化合物的炔烃耦合剂。

13.如权利要求11所述的方法,其中该中间耦合剂包括用于附接生物素-硫醇的异氰酸酯耦合剂。

14.如权利要求11所述的方法,其中该中间耦合剂包括用于附接生物素-硫醇的环氧耦合剂。

15.如权利要求1至14中任一项所述的方法,其中选择该功能层来促进生物素-硅烷直接键合至该包覆层的材料。

16.如权利要求1至15中任一项所述的方法,其中该功能层包括一种以上组成,其中选择至少一组成来提供该样本井的底面的防污性质。

17.如权利要求1至16中任一项所述的方法,其进一步包括使用硅烷化学来将该功能层附接至该样本井的暴露底面。

18.如权利要求17所述的方法,其中该硅烷化学包括被配置以实现相对于金属氧化物表面选择性附接至所述SiO2表面的烷氧基硅烷化学。

19.如权利要求18所述的方法,其进一步包括使用液相处理来涂覆该功能层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宽腾矽公司,未经宽腾矽公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980080210.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top