[发明专利]用于离子源的四极管提取设备

权利要求书

1.一种用于离子源的电极系统，所述电极系统包括：

源电极，其与所述离子源相关联，其中所述源电极大体上限定离子源腔室的外壁中的源孔径，且其中所述源孔径配置为电性耦接至源电源；

第一接地电极，其定位于所述源电极附近，其中所述第一接地电极大体上限定第一接地孔径，其中所述第一接地电极电性耦接至电接地电位，且配置为沿着射束线从所述离子源提取离子；

抑制电极，其沿着所述射束线定位于所述第一接地电极的下游，其中所述抑制电极大体上限定抑制孔径，且其中所述抑制电极配置为电性耦接至抑制电源；以及

第二接地电极，其沿着所述射束线定位于所述抑制电极的下游，其中所述第二接地电极大体上限定第二接地孔径，并且其中所述第一接地电极和所述第二接地电极固定地彼此耦接并且电性耦接至所述电接地电位。

2.根据权利要求1所述的电极系统，其中源电极通过源间隙与所述第一接地电极电隔离。

3.根据权利要求1所述的电极系统，其中所述源电源配置为向所述源电极供应相对于所述接地电位为正的源电压。

4.根据权利要求3所述的电极系统，其中所述抑制电源配置为相对于所述源电极向所述抑制电极施加负电位。

5.根据权利要求1所述的电极系统，还包括一个或多个接地杆，其中所述一个或多个接地杆将所述第一接地电极固定地耦接到所述第二接地电极。

6.根据权利要求5所述的电极系统，其中所述一个或多个接地杆是导电的，并且将所述第一接地电极电性耦接至所述第二接地电极。

7.根据权利要求5所述的电极系统，还包括电性耦接至所述第一接地电极和所述第二接地电极中的一个或多个的接地元件，其中所述接地元件将所述第一接地电极和所述第二接地电极电性耦接至端子接地。

8.根据权利要求7所述的电极系统，其中所述接地元件包括电线、电缆和杆中的一个或多个。

9.根据权利要求1所述的电极系统，其中所述第一接地电极、所述抑制电极和所述第二接地电极固定地彼此耦接，其中所述抑制电极与所述第一接地电极和所述第二接地电极电绝缘。

10.根据权利要求9所述的电极系统，其中所述第一接地电极、所述抑制电极和所述第二接地电极大体上限定提取操纵器，其中所述提取操纵器配置为相对于所述射束线至少在一个或多个方向上平移。

11.一种用于离子注入系统的离子源，所述离子源包括：

弧形腔室，其具有内部区域，其中所述弧形腔室配置为形成包含正离子的等离子体；

源电极，其中所述源电极大体上在所述弧形腔室的外壁中限定源孔径，并且大体上包围所述弧形腔室的所述内部区域，并且其中所述源孔径配置为电性耦接至源电源；

第一接地电极，其定位于所述源电极附近，其中所述第一接地电极大体上限定第一接地孔径，其中所述第一接地电极电性耦接至电接地电位且配置为沿着射束线从所述离子源提取所述正离子；

抑制电极，其沿着所述射束线定位于所述第一接地电极的下游，其中所述抑制电极大体上限定抑制孔径，且其中所述抑制电极配置为电性耦接至抑制电源；以及

第二接地电极，其沿着所述射束线定位于所述抑制电极的下游，其中所述第二接地电极大体上限定第二接地孔径，并且其中所述第一接地电极和所述第二接地电极固定地彼此耦接并且电性耦接至所述电接地电位。

12.根据权利要求11所述的离子源，其中源电极通过源间隙与所述第一接地电极电隔离。

13.根据权利要求11所述的离子源，其中所述抑制电源配置为相对于所述第一接地电极和所述第二接地电极向所述抑制电极施加负电位。