[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201980080999.6 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN113169212A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 李新兴;孔兑辰;李熙根 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/768;H01L21/033;H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
像素电路层;
第一电极和第二电极,设置在所述像素电路层上,并且彼此间隔开;
第一绝缘层,设置在所述像素电路层、所述第一电极和所述第二电极上;
导电图案,设置在所述第一绝缘层上,并且与所述第一电极和所述第二电极电绝缘;
堤,设置在所述导电图案上;以及
发光元件,在所述第一电极与所述第二电极之间设置在所述绝缘层上,并且电结合到所述第一电极和所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤的侧壁与所述第一绝缘层的上表面之间的角在70°至90°的范围内。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述堤与所述导电图案完全叠置,并且
其中,所述堤的所述侧壁位于与所述导电图案的侧壁的平面相同的平面中。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述堤在其与所述导电图案接界的边界表面中包括凹槽,所述凹槽形成在所述堤的所述侧壁中,并且
其中,所述堤的与所述边界表面相邻的部分具有倒锥形形状。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述堤与所述导电图案叠置,并且
其中,在所述堤与所述导电图案之间的边界表面上,所述堤的第一宽度比所述导电图案的第二宽度大。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述导电图案包括通过湿蚀刻去除的导电材料。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述导电图案包括透明导电材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤包括遮光材料,所述遮光材料设置成阻挡从所述发光元件入射的光。
9.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一分隔壁,置于所述第一电极与所述像素电路层之间;以及
第二分隔壁,置于所述第二电极与所述像素电路层之间,
其中,所述发光元件设置在所述第一分隔壁与所述第二分隔壁之间,并且
其中,所述堤的厚度比所述第一分隔壁的厚度大。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述导电图案不与所述第一分隔壁和所述第二分隔壁叠置。
11.根据权利要求9所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第一接触电极,设置在所述发光元件中的每个发光元件的第一端和所述第一电极的一个区域上,并且被配置为将所述第一端电连接到所述第一电极;以及
第二接触电极,设置在所述发光元件中的每个发光元件的第二端和所述第二电极的一个区域上,并且被配置为将所述第二端电连接到所述第二电极。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述导电图案、所述第一接触电极和所述第二接触电极设置在同一平面上。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述导电图案的厚度与所述第一接触电极的厚度不同。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素电路层包括通过所述堤彼此分离的第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域,
其中,所述发光元件包括设置在所述第一发射区域中的第一发光元件、设置在所述第二发射区域中的第二发光元件和设置在所述第三发射区域中的第三发光元件,并且
其中,所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件发射不同颜色的光。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光元件中的每个发光元件包括具有从纳米级至微米级的范围的尺寸的棒状发光二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980080999.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于交通工具的操作系统
- 下一篇:无空隙低应力填充
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的