[发明专利]摄像元件和摄像装置在审
申请号: | 201980081314.X | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN113196488A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 尾辻弘成;河野広行 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00;G02B5/20;H04N5/369;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 瓮芳;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 元件 装置 | ||
1.一种摄像元件,其包括:
片上透镜,其被构造为聚集来自被摄体的入射光;
光电转换单元,其被构造为对聚集的所述入射光进行光电转换;以及
多个层内透镜,其被布置在所述片上透镜和所述光电转换单元之间,并且被构造为进一步聚集已经穿过所述片上透镜的所述入射光,
其中,所述多个层内透镜被构造为使已经穿过所述多个层内透镜中的任一者的所述入射光入射在所述光电转换单元上。
2.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述多个层内透镜被布置在基本相同的层中。
3.根据权利要求2所述的摄像元件,其中,所述多个层内透镜是同时形成的。
4.根据权利要求1所述的摄像元件,其还包括滤色器,所述滤色器被构造为使已经穿过所述片上透镜的所述入射光之中的具有预定波长的光透过所述滤色器。
5.根据权利要求4所述的摄像元件,其中,所述滤色器被构造为使红光透过所述滤色器。
6.根据权利要求4所述的摄像元件,其中,所述滤色器被构造为使红外光透过所述滤色器。
7.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述多个层内透镜中的一者被布置在所述片上透镜的光轴上。
8.根据权利要求1所述的摄像元件,其中,所述多个层内透镜具有互不相同的形状。
9.根据权利要求1所述的摄像元件,其还包括多个像素,每个所述像素包括所述片上透镜、所述光电转换单元和所述多个层内透镜。
10.根据权利要求9所述的摄像元件,其中,所述多个层内透镜相对于所述像素的中心非对称地布置。
11.根据权利要求9所述的摄像元件,其还包括相位差像素,所述相位差像素包括所述片上透镜和所述光电转换单元,并且被构造为通过对来自所述被摄体的所述入射光进行光瞳分割来检测相位差。
12.一种摄像装置,其包括:
片上透镜,其被构造为聚集来自被摄体的入射光;
光电转换单元,其被构造为对聚集的所述入射光进行光电转换;
多个层内透镜,其被布置在所述片上透镜和所述光电转换单元之间,并且被构造为进一步聚集已经穿过所述片上透镜的所述入射光;以及
处理电路,其被构造为对基于所述光电转换单元中的所述光电转换的图像信号进行处理,
其中,所述多个层内透镜被构造为使已经穿过所述多个层内透镜中的任一者的所述入射光入射在所述光电转换单元上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的