[发明专利]以半桥驱动器配置驱动D型FET

权利要求书

1.一种电子电路，包括：

高侧驱动器；

跨所述高侧驱动器连接的高侧电容器；

低侧驱动器；

跨所述低侧驱动器连接的低侧电容器；以及

充电电路；

其中：

所述电子电路在电子电路输出处能够连接至输出负载；

所述低侧驱动器被配置成选择性地提供第一驱动电压和第三驱动电压以驱动功率级；

所述高侧驱动器被配置成选择性地提供第二驱动电压和第四驱动电压以驱动所述功率级；并且

所述充电电路连接至所述高侧电容器，并且被配置成在所述高侧驱动器处于关断状态时向所述高侧驱动器提供电力。

2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，所述高侧驱动器和所述低侧驱动器被配置成控制高侧开关和低侧开关的串联布置，所述高侧开关和所述低侧开关的组合被配置成接收第一供电电压。

3.根据权利要求2所述的电子电路，其中，所述充电电路包括第二供电电压，其中，所述第二供电电压的一部分跨所述高侧电容器耦接。

4.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述充电电路包括齐纳二极管。

5.根据权利要求3所述的电子电路，其中，所述高侧开关和低侧开关的串联布置包括耗尽型FET开关。

6.根据权利要求5所述的电子电路，其中，所述低侧驱动器被配置成接收所述第二供电电压和第三供电电压。

7.根据权利要求6所述的电子电路，其中，所述第三供电电压是接地，所述第二供电电压是负电压，并且所述第一供电电压是正电压。

8.根据权利要求7所述的电子电路，其中：

在第一状态下：

所述第一驱动电压等于接地或者相对于接地为正；

所述充电电路提供电流以对所述高侧电容器充电，从而提供在第二状态期间被供应给所述高侧驱动器的电力；并且

所述第二驱动电压相对于接地为负；

在所述第二状态下：

所述第三驱动电压相对于接地为负；并且

所述第四驱动电压等于接地或者相对于接地为正。

9.根据权利要求8所述的电子电路，其中：

所述第一驱动电压和所述第四驱动电压基本上等于所述第三供电电压；并且

所述第二驱动电压和所述第三驱动电压基本上等于所述第二供电电压。

10.根据权利要求7所述的电子电路，其中，所述第二供电电压由电荷泵提供。

11.根据权利要求10所述的电子电路，集成在一个管芯或芯片中。

12.根据权利要求6所述的电子电路，其中：

所述充电电路包括开关FET，所述开关FET具有：连接在所述低侧驱动器的输出处的栅极；连接至所述高侧电容器的第一端的漏极和连接至所述第三供电电压的源极；并且

所述高侧电容器的第二端连接至所述电子电路输出。

13.根据权利要求12所述的电子电路，其中，所述低侧驱动器被配置成接收第二供电电压和第三供电电压。

14.根据权利要求13所述的电子电路，其中，所述第三供电电压是接地，所述第一供电电压是正电压，并且所述第二供电电压是负电压。