[发明专利]用于制备含钴催化剂前体的方法和用于烃合成的方法

权利要求书

1.一种用于制备含钴催化剂前体的方法，所述方法包括：

将包含负载有硝酸钴的二氧化硅(SiO₂)催化剂载体的经负载的催化剂载体煅烧，所述经负载的催化剂载体的煅烧包括将所述硝酸钴转化成钴氧化物；以及

所述煅烧包括在至少温度范围A期间以不低于10℃/分钟的高加热速率加热所述经负载的催化剂载体，所述温度范围A是从所述经负载的催化剂载体开始煅烧时的最低温度至165℃，以及其中气流在至少所述温度范围A期间作用在所述经负载的催化剂载体上，

从而生产所述含钴催化剂前体。

2.根据权利要求1所述方法，其中所述二氧化硅(SiO₂)催化剂载体是多孔的，以及具有大于20nm但小于50nm的平均孔径，所述平均孔径通过Barrett-Joyner-Halenda(BJH)氮物理吸附分析确定。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其中所述经负载的催化剂载体包含在所述催化剂载体上和/或在所述催化剂载体中的钛化合物以及在所述催化剂载体上和/或在所述催化剂载体中的锰化合物二者。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述经负载的催化剂载体除所述硝酸钴之外还包括氢氧化钴(Co(OH)₂)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述经负载的催化剂载体包含能够在其煅烧之后增强硝酸钴的还原性的掺杂剂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述煅烧包括将所述经负载的催化剂载体加热至高于所述温度范围A的温度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述煅烧包括至少在从100℃至170℃的温度范围期间以不低于10℃/分钟的高加热速率加热所述经负载的催化剂载体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述煅烧包括至少在从100℃至220℃的温度范围期间以不低于10℃/分钟的高加热速率加热所述经负载的催化剂载体。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中在所述温度范围A期间作用在所述经负载的催化剂载体上的气流处于至少5Nm³/kg硝酸钴/小时的气时空速(GHSV)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述煅烧在流化床煅烧炉中进行。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其包括在所述温度范围A期间以所述高加热速率煅烧所述经负载的催化剂载体之前将所述经负载的催化剂载体干燥。

12.一种用于制备含钴催化剂的方法，所述方法包括根据权利要求1至11中任一项所要求的制备含钴催化剂前体；以及还原所述催化剂前体，从而使所述催化剂前体活化并获得所述催化剂。

13.一种用于生产烃和任选的烃的含氧化合物的烃合成方法，所述方法包括根据权利要求12所要求的制备含钴催化剂；以及所述方法还包括在高于100℃的温度和至少10巴的压力下使所述催化剂与氢气和一氧化碳接触以生产烃和任选的烃的含氧化合物。

14.根据权利要求13所述的烃合成法，其包括用于将烃和任选地其含氧化合物转化成液体燃料和/或其他化学品的加氢处理步骤。