[发明专利]带粘合剂层的偏振膜有效

专利信息
申请号: 201980081788.4 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN113242987B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 森本有;外山雄祐;仲野武史 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;C09J7/38
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王利波
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 粘合剂 偏振
【权利要求书】:

1.一种带粘合剂层的偏振膜,其具备:

偏振膜,该偏振膜具有起偏镜、和设置于所述起偏镜的可视侧的保护膜;以及

设置于所述起偏镜的与可视侧相反侧的粘合剂层,

其中,所述粘合剂层包含基础聚合物和有机硅低聚物Ps,

所述基础聚合物含有含氮单体(b2)作为单体单元,

相对于所述基础聚合物100重量份,以0.5~1重量份包含所述有机硅低聚物Ps,

所述有机硅低聚物Ps的Tg为47℃以上且73℃以下、侧链的有机硅官能团当量为1000~20000g/mol、重均分子量为10000以上且300000以下。

2.根据权利要求1所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述有机硅低聚物Ps包含具有聚有机硅氧烷骨架的单体S1、和均聚物的玻璃化转变温度为-70℃以上且180℃以下的单体作为单体单元。

3.根据权利要求1所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述基础聚合物以80重量%以上含有均聚物的玻璃化转变温度为-80℃以上且0℃以下的(甲基)丙烯酸烷基酯(A)作为单体单元。

4.根据权利要求2所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述基础聚合物以80重量%以上含有均聚物的玻璃化转变温度为-80℃以上且0℃以下的(甲基)丙烯酸烷基酯(A)作为单体单元。

5.根据权利要求3所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述基础聚合物进一步以5重量%以下含有选自含羧基单体(b1)及含氮单体(b2)中的至少一种极性单体(B)作为单体单元。

6.根据权利要求4所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述基础聚合物进一步以5重量%以下含有选自含羧基单体(b1)及含氮单体(b2)中的至少一种极性单体(B)作为单体单元。

7.根据权利要求5所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述基础聚合物进一步以0.1~18重量%含有均聚物的玻璃化转变温度为0℃以上且180℃以下的甲基丙烯酸烷基酯、以0~5重量%含有含羟基单体作为单体单元。

8.根据权利要求6所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述基础聚合物进一步以0.1~18重量%含有均聚物的玻璃化转变温度为0℃以上且180℃以下的甲基丙烯酸烷基酯、以0~5重量%含有含羟基单体作为单体单元。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述基础聚合物的重均分子量为50万~250万。

10.根据权利要求1~8中任一项所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述起偏镜的厚度超过0μm且为12μm以下。

11.根据权利要求9所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述起偏镜的厚度超过0μm且为12μm以下。

12.根据权利要求1~8中任一项所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述有机硅低聚物Ps的熔融温度为-20℃~120℃。

13.根据权利要求9所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述有机硅低聚物Ps的熔融温度为-20℃~120℃。

14.根据权利要求10所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述有机硅低聚物Ps的熔融温度为-20℃~120℃。

15.根据权利要求11所述的带粘合剂层的偏振膜,其中,

所述有机硅低聚物Ps的熔融温度为-20℃~120℃。

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