[发明专利]极紫外光刻用工艺液体及使用其的图案形成方法

权利要求书

1.一种用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，所述光致抗蚀剂包括聚羟基苯乙烯，在使用极紫外光作为光源的光致抗蚀剂图案工艺中，其特征在于，

所述工艺液体包括：

0.0001至1重量％的阴离子表面活性剂；

0.0001至1重量％的碱性物质；及

98至99.9998重量％的水。

2.根据权利要求1所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述阴离子表面活性剂为选自由聚羧酸盐、磺酸盐、硫酸酯盐、磷酸酯盐或它们的混合物所组成的组中。

3.根据权利要求2所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述阴离子表面活性剂为聚羧酸盐。

4.根据权利要求2所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述阴离子表面活性剂为磺酸盐。

5.根据权利要求2所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述阴离子表面活性剂为硫酸酯盐。

6.根据权利要求1所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述阴离子表面活性剂为磷酸酯盐。

7.根据权利要求1所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述碱性物质为选自由四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵或它们的混合物所组成的组中。

8.根据权利要求7所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述碱性物质为选自由四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵或它们的混合物所组成的组中。

9.根据权利要求8所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述碱性物质为四乙基氢氧化铵。

10.根据权利要求8所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述碱性物质为四丁基氢氧化铵。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，其特征在于，

所述工艺液体包括：

0.001至0.1重量％的阴离子表面活性剂；

0.001至0.1重量％的碱性物质；及

99.8至99.998重量％的水。

12.一种光致抗蚀剂图案形成方法，包括如下步骤：

(a)在半导体基板涂覆光致抗蚀剂而形成膜；

(b)用极紫外光曝光所述光致抗蚀剂的膜后进行显影而形成图案；及

(c)利用权利要求1至10中任一项所述的用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体洗涤所述光致抗蚀剂图案。