[发明专利]含有铜和钌的基材的化学机械抛光

权利要求书

1.一种化学机械抛光(CMP)组合物，包含：

(A)至少一种无机磨料颗粒；

(B)至少一种选自羧酸的螯合剂；

(C)至少一种选自未被取代或者被取代的三唑类的缓蚀剂；

(D)至少一种包含至少一个聚氧化烯基团的非离子表面活性剂；

(E)至少一种不同于组分(D)的选自聚乙二醇的垫清洁剂；

(F)至少一种碳酸盐或碳酸氢盐；

(G)至少一种选自有机过氧化物、无机过氧化物、过硫酸盐、碘酸盐、高碘酸、高碘酸盐、高锰酸盐、高氯酸、高氯酸盐、溴酸和溴酸盐的氧化剂；和

(H)含水介质。

2.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述至少一种无机磨料颗粒(A)选自金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、硼化物、陶瓷、金刚石、有机混合颗粒、无机混合颗粒和二氧化硅。

3.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述至少一种无机磨料颗粒(A)的浓度基于所述化学机械抛光组合物的总重量在≥0.01重量％至≤10重量％范围内。

4.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述羧酸选自二羧酸和三羧酸。

5.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述至少一种螯合剂(B)的浓度基于所述化学机械抛光组合物的总重量在≥0.001重量％至≤2.5重量％范围内。

6.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述三唑类选自未被取代的苯并三唑类、取代的苯并三唑类、未被取代的1,2,3-三唑类、取代的1,2,3-三唑类、未被取代的1,2,4-三唑类和取代的1,2,4-三唑类。

7.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述至少一种缓蚀剂(C)的浓度基于所述化学机械抛光组合物的总重量在≥0.001重量％至≤1重量％范围内。

8.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述包含至少一个聚氧化烯基团的非离子表面活性剂(D)的浓度基于所述化学机械抛光组合物的总重量在≥0.01重量％至≤10重量％范围内。

9.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述聚乙二醇具有的重均分子量范围根据凝胶渗透色谱法在40℃下测定为≥400g/mol至≤6000g/mol。

10.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述垫清洁剂(E)的浓度基于所述化学机械抛光组合物的总重量在≥0.001重量％至≤1重量％范围内。

11.根据权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中所述化学机械抛光组合物的pH在8-11范围内。

12.一种制造半导体器件的方法，包括在根据权利要求1-11中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光基材。

13.根据权利要求12的方法，其中所述基材包括至少一个铜层和/或至少一个钌层。

14.根据权利要求1-11中任一项的化学机械抛光组合物在化学机械抛光半导体工业中所用基材中的用途。

15.根据权利要求14的用途，其中所述基材包含：

(i)铜，和/或

(ii)钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌或其钌合金。