[发明专利]III族氮化物半导体发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201980082293.3 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN113169255A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 渡边康弘 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，其在基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层和p侧反射电极，
从所述发光层发出的光的发光中心波长为250nm以上且330nm以下，
所述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下，
所述p型接触层的膜厚为10nm以上且50nm以下，并且，该p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，所述p型接触层仅由所述p型AlGaN接触层构成。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，所述p型接触层在所述p型AlGaN接触层与所述p侧反射电极之间具有p型GaN接触层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物半导体发光元件，其中，所述p型AlGaN接触层的膜厚为10nm以上且25nm以下。
5.一种III族氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：
在基板上形成n型半导体层的工序；
在所述n型半导体层上形成发光层的工序；
在所述发光层上形成p型AlGaN电子阻挡层的工序；
在所述p型AlGaN电子阻挡层上形成p型接触层的工序；以及
在所述p型接触层上形成p侧反射电极的工序，
源自所述发光层的发光中心波长为250nm以上且330nm以下，
所述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下，
所述p型接触层的膜厚为10nm以上且50nm以下，
所述p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。
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