[发明专利]拉曼散射增强基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201980082415.9 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113195588A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 合田圭介;程振洲;肖廷辉;陈南 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李照明;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散射 增强 及其 制造 方法 | ||
1.一种拉曼散射增强基板，其特征在于，是具有拉曼散射增强效应的拉曼散射增强基板，
在支承基材上排列多个由孔尺寸为直径10～50nm的多孔质材料形成的柱状、块状或球状的多孔碳元件而成，所述多孔质材料由碳形成。
2.根据权利要求1所述的拉曼散射增强基板，其中，
所述多孔碳元件被形成为直径为50～200nm且长度为5～20μm的圆柱状、或边长为50～200nm且长度为5～20μm的棱柱状。
3.根据权利要求1或2所述的拉曼散射增强基板，其中，
所述多孔碳元件掺杂有硫。
4.一种拉曼散射增强基板的制造方法，其特征在于，所述拉曼散射增强基板具有拉曼散射增强效应，所述制造方法具备以下工序：
阵列形成工序，向利用阳极氧化铝形成的、排列有柱状或立方状的多个孔的模板中填充作为单体的吡咯并使其聚合，从而形成聚吡咯纳米阵列，
多孔质化工序，使所述聚吡咯纳米阵列的全部成为直径为10～50nm的多孔质而制成多孔聚吡咯纳米阵列，和
烧成工序，烧成所述多孔聚吡咯纳米阵列而制成作为多孔碳纳米阵列的拉曼散射增强基板。
5.根据权利要求4所述的拉曼散射增强基板的制造方法，其中，
所述阵列形成工序使用排列有直径为50～200nm且长度为5～20μm的圆柱状、或边长为50～200nm且长度为5～20μm的棱柱状的多个孔的模板。
6.根据权利要求4或5所述的拉曼散射增强基板的制造方法，其中，
所述阵列形成工序中，向所述模板中填充将作为单体的吡咯溶解于乙腈和/或水而成的溶液，并使其聚合而制成聚吡咯纳米阵列。
7.根据权利要求4～6中任一项权利要求所述的拉曼散射增强基板的制造方法，其中，
所述多孔质化工序中，将所述聚吡咯纳米阵列浸渍于含硫簇的二甲亚砜中，以80℃～120℃制成多孔聚吡咯纳米阵列。
8.根据权利要求4～7中任一项权利要求所述的拉曼散射增强基板的制造方法，其中，
所述烧成工序在氩气氛下以600～1000℃进行烧成。
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