[发明专利]薄膜SAW器件

权利要求书

1.一种薄膜SAW器件，包括：

-载体衬底(CA)，

-TCF补偿层(CL)，

-压电层(PL)，以及

-在所述压电层的顶部上的IDT电极(EL)

其中，功能层(FL)被布置在压电层与TCF补偿层之间，

其中，考虑到声速、密度和刚度，所述功能层的材料特性与所述压电层的材料特性相匹配，使得所述功能层的材料特性与所述压电层的材料特性在不具有压电效应的情况下彼此的偏差不超过10％。

2.根据前述权利要求所述的薄膜SAW器件，其中所述功能层

-包括与所述压电层相同的所述材料

-不提供任何压电效应。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜SAW器件，

-其中所述压电层是厚度为dP的LT或LN的单晶层，

-其中所述功能层是相同材料的结晶层，但是没有压电效应，

-其中对于所述功能层的厚度dF，以下是有效的：

0.005dP≤dF≤0.50dP。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜SAW器件，其中在所述载体衬底(CA)与所述TCF补偿层(CL)之间添加具有比所述TCF补偿层(CL)更高的声速的一个或多个附加层。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜SAW器件，其中，所述压电层是400nm-700nm的厚度dP的钽酸锂LT的单晶层，其中，所述功能层是相同材料的结晶LT层，但是不具有压电效应，其中所述功能层的所述厚度dF符合

2nm≤dF≤350nm。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜SAW器件，其中所述TCF补偿层(CL)包括具有厚度dC符合以下条件的SiO₂层：

50nm≤dC≤500nm。

7.一种制造薄膜SAW器件的方法，所述薄膜SAW器件包括：

-载体衬底(CA)，

-TCF补偿层(CL)，

-功能层(FL)，

-压电层(PL)，以及

-在所述压电层的顶部上的IDT电极(EL)

其中，所述方法包括将压电晶片的晶片键合到被布置在所述载体衬底上的下面的TCF补偿层CL，所述压电晶片在其顶表面上具有整体形成的功能层FL，

其中，所述功能层(FL)是在晶片键合之前通过离子注入、温度处理或激光处理形成的。