[发明专利]摄像元件和摄像装置

权利要求书

1.一种摄像元件，包括：

像素单位，其包括选择晶体管和放大晶体管，所述选择晶体管和所述放大晶体管各者由多栅晶体管构成。

2.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述多栅晶体管是FinFET。

3.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管和所述放大晶体管以彼此相邻的方式形成。

4.如权利要求3所述的摄像元件，其中

彼此相邻的所述选择晶体管和所述放大晶体管的栅极之间间隔为100nm以上。

5.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管的栅极和所述放大晶体管的栅极形成于同一个硅沟道上。

6.如权利要求1所述的摄像元件，其中

在所述像素单位中，所述选择晶体管和所述放大晶体管各者形成于与形成有传输晶体管的行及形成有复位晶体管的行不同的行中。

7.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述像素单位包括单一光电转换元件，

所述选择晶体管控制从所述光电转换元件读取的电荷向信号线的输出，并且

在所述选择晶体管将所述电荷作为信号输出至所述信号线的情况下，所述放大晶体管放大该信号。

8.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述像素单位包括多个光电转换元件，

所述选择晶体管控制从所述多个光电转换元件中的任一者读取的电荷向信号线的输出，并且

在所述选择晶体管将所述电荷作为信号输出至所述信号线的情况下，所述放大晶体管放大该信号。

9.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括已经注入有杂质的硅沟道。

10.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括含有P型半导体的硅沟道，在该P型半导体中已经注入有热扩散系数比硼的热扩散系数小的离子。

11.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括含有P型半导体的硅沟道，在该P型半导体中已经注入有铟。

12.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括含有N型半导体的硅沟道，在该N型半导体中已经注入有热扩散系数比磷的热扩散系数小的离子。

13.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括含有N型半导体的硅沟道，在该N型半导体中已经注入有砷。

14.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括含有N型半导体的硅沟道，在该N型半导体中已经注入有锑。

15.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括如下的硅沟道：在形成栅极的侧壁之前在该硅沟道中已经注入有杂质。

16.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括如下的硅沟道：在形成栅极的侧壁之后在该硅沟道中已经注入有杂质。

17.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管和所述放大晶体管各者都包括栅极电极，所述选择晶体管的所述栅极电极的材料的功函数和所述放大晶体管的所述栅极电极的材料的功函数不同。

18.如权利要求1所述的摄像元件，其中

所述选择晶体管包括含有P型半导体的栅极电极，并且

所述放大晶体管包括含有N型半导体的栅极电极。