[发明专利]用于在钯活化层沉积前使用的水性碱性预处理溶液、其方法及用途

权利要求书

1.一种在制造具有集成电路的物件中用于在钯活化层沉积于衬底上之前使用的水性碱性预处理溶液，其包含：

-至少一种通式(I)的羟基羧酸或其盐

[RCH₂-(RCH)_n-COO^-]_m M^m+(I)

其中n是2到4的整数且m是1或2，

R独立地为H或OH，限制条件是至少一个R是OH，并且其中

m为1的M^m+是氢、铵或碱金属；或m为2的M^m+是碱土金属，其中所述至少一种羟基羧酸或其盐的浓度为200到400mg/L；

-至少一种聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯，其中所述至少一种聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯的浓度为0.4到1.2mg/L；和

-至少一种磺化脂肪酸或其盐，其中所述至少一种磺化脂肪酸的浓度为4到12mg/L。

2.根据权利要求1所述的水性碱性预处理溶液，其中所述至少一种羟基羧酸或其盐的浓度260到370mg/L。

3.根据权利要求1所述的水性碱性预处理溶液，其中所述至少一种羟基羧酸或其盐的浓度为280到350mg/L。

4.根据权利要求1所述的水性碱性预处理溶液，其中所述至少一种聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯的浓度为0.6到0.9mg/L。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的水性碱性预处理溶液，其中所述磺化脂肪酸是选自由以下组成的群组：不饱和具支链或无支链C16到C20脂肪酸或其混合物。

6.根据权利要求1所述的水性碱性预处理溶液，其中所述至少一种磺化脂肪酸的浓度为5到10mg/L。

7.根据权利要求1所述的水性碱性预处理溶液，其中所述至少一种磺化脂肪酸的浓度为6到9mg/L。

8.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的水性碱性预处理溶液，其中所述溶液具有8到12的pH。

9.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的水性碱性预处理溶液，其中所述溶液具有9.5到11.5的pH。

10.一种在制造具有集成电路的物件中用于预处理衬底以后续沉积钯活化层于所述衬底上的方法，其包含依以下顺序的步骤：

(i)提供具有至少一个导电金属层表面和至少一个非导电表面的所述衬底；

(ii)提供根据权利要求1到9中任一权利要求所述的水性碱性预处理溶液；

(iii)通过使所述衬底与所述水性预处理溶液接触来用所述预处理溶液处理所述衬底。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述方法进一步包含以下步骤：

(iv)利用钯活化溶液处理步骤(iii)的所述衬底，其中钯离子层沉积于步骤(iii)的经处理的所述衬底的表面上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法进一步包含以下步骤：

(v)利用钯还原溶液处理步骤(iv)的衬底，其中步骤(iv)中的经沉积的所述钯离子层转变成金属钯层。

13.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的方法，其中所述至少一个导电金属层表面是铜层表面。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其中所述钯离子层沉积于步骤(iii)的经处理的所述衬底的所述至少一个非导电表面上。

15.一种根据权利要求1到9中任一权利要求所述的水性预处理溶液在制造具有集成电路的物件中用于后续沉积钯离子层于衬底上的用途，其中所述溶液是在施加钯活化溶液之前直接施加，以在形成所述钯离子层的同时使钯粒子形成最小化。