[发明专利]串联二极管、电路以及电气装置

说明书

串联二极管(TD)具有：第1肖特基势垒二极管(D1)，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管(D2)，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)，并流过反向的隧道电流。

技术领域

本公开涉及串联二极管、电路以及电气装置。

背景技术

有时利用将多个二极管串联连接的串联二极管。

在JP特开2002-125369号公报中，通过在缓冲电路串联连接多个低损耗的低耐压二极管、此外在各二极管并联连接缓冲电阻器从而确保分压的平衡，并将施加于二极管的反向电压抑制在耐压电平内。

发明内容

-解决课题的手段-

本公开的一个方式的串联二极管具有：第1肖特基势垒二极管，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管，与所述第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，所述第1肖特基势垒二极管以及所述第2肖特基势垒二极管分别在形成肖特基结的金属层与半导体层之间的一部分的区域具有绝缘体层。

附图说明

图1是本公开的一实施方式所涉及的电路图。

图2A是本发明例的肖特基势垒二极管的垂直剖视图。

图2B是本发明例的肖特基势垒二极管的水平剖视图。

图3是比较例的肖特基势垒二极管的剖视图。

图4是表示比较例的二极管和本发明例的二极管的反向电压电流特性的图表。

图5是表示本发明例的二极管的反向电压电流特性的温度依赖性的图表。

图6是表示本发明例的肖特基势垒二极管的绝缘体层的边缘部构造的剖视图。

图7是现有例所涉及的电路图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的一实施方式进行说明。

如图1所示，本实施方式的串联二极管TD具有：第1肖特基势垒二极管D1，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管D2，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接。

第1肖特基势垒二极管D1以及第2肖特基势垒二极管D2分别如图2A、2B所示在形成肖特基结SB的金属层1与半导体层2之间的一部分的区域具有绝缘体层3。

在上下夹着包含硅氧化膜等的绝缘体层3并与绝缘体层3接合的一个金属层1与另一个半导体层2是在与绝缘体层3相邻的区域形成肖特基结SB的金属和半导体的层。

在半导体层2的下表面形成有阴极电极金属层4，在图1的电路图中相当于与高电位侧连接的电极。

如图1所示，第1肖特基势垒二极管D1被连接于高电位(Hi)侧。第2肖特基势垒二极管D2相比于第1肖特基势垒二极管D1被连接于低电位(GND)侧。

第1肖特基势垒二极管D1以及第2肖特基势垒二极管D2是各自的阴极被设为高电位侧、阳极被设为低电位侧的反向连接。

作为两者的连接关系，将第2肖特基势垒二极管D2的阴极连接于第1肖特基势垒二极管D1的阳极。

构成第1肖特基势垒二极管D1将阴极连接于第1电位的导体、第2肖特基势垒二极管D2将阴极连接于比第1电位低的第2电位的导体的电路。二极管D1、D2分别是不具有与阳极以及阴极连接的平衡电阻的电路。