[发明专利]用于发光二极管芯片的互连在审
申请号: | 201980083431.X | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN113169256A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 迈克尔·切克 | 申请(专利权)人: | 科锐LED公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/62 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 发光二极管 芯片 互连 | ||
1.一种发光二极管(LED)芯片,包括:
有源LED结构,包括n型层、p型层以及布置在所述n型层与所述p型层之间的有源层;
多个第一互连,电连接至所述n型层;以及
多个第二互连,电连接至所述p型层,其中,所述多个第一互连和所述多个第二互连跨所述LED芯片的区域共同形成对称图案。
2.根据权利要求1所述的LED芯片,进一步包括电连接至所述n型层的n触点,其中,所述多个第一互连包括电连接在所述n触点与所述n型层之间的多个n触点互连。
3.根据权利要求1所述的LED芯片,进一步包括在所述p型层上的反射结构,其中,所述反射结构包括介电层和金属层,并且所述多个第二互连包括延伸通过所述介电层的一部分的多个反射层互连。
4.根据权利要求1所述的LED芯片,其中,所述多个第一互连被布置为跨所述LED芯片的所述区域以第一图案彼此均匀地间隔开,并且所述多个第二互连被布置为跨所述LED芯片的所述区域以第二图案彼此均匀地间隔开。
5.根据权利要求4所述的LED芯片,其中,所述第一图案和所述第二图案跨所述LED芯片共同形成所述对称图案。
6.根据权利要求1所述的LED芯片,其中,所述多个第二互连的直径基于每个单独的第二互连与特定的第一互连的相对位置是不同的。
7.根据权利要求1所述的LED芯片,其中,被布置为最靠近特定的第一互连的单独的第二互连的直径大于被布置为远离所述特定的第一互连的另一单独的第二互连的直径。
8.根据权利要求1所述的LED芯片,其中,被布置为最靠近特定的第一互连的单独的第二互连的直径小于被布置为远离所述特定的第一互连的另一单独的第二互连的直径。
9.根据权利要求1所述的LED芯片,其中,所述多个第一互连的直径基于跨所述LED芯片的所述区域的每个单独的第一互连的相对位置是不同的。
10.根据权利要求1所述的LED芯片,其中,所述多个第一互连的直径沿从所述LED芯片的周边朝向所述LED芯片的中心的方向逐渐减少。
11.根据权利要求1所述的LED芯片,其中,所述多个第一互连和所述多个第二互连在所述LED芯片的不同区域中共同形成对称图案。
12.一种发光二极管(LED)芯片,包括:
有源LED结构,包括n型层、p型层以及布置在所述n型层与所述p型层之间的有源层;
多个第一互连,电连接至所述n型层;以及
多个第二互连,电连接至所述p型层;
其中,所述多个第一互连中的每个第一互连的中心点与所述多个第二互连中的每个第二互连的中心点跨所述LED芯片形成相等间隔的中心点的阵列。
13.根据权利要求12所述的LED芯片,进一步包括电连接至所述n型层的n触点,其中,所述多个第一互连包括电连接在所述n触点与所述n型层之间的多个n触点互连。
14.根据权利要求12所述的LED芯片,进一步包括在所述p型层上的反射结构,其中,所述反射结构包括介电层和金属层,并且所述多个第二互连包括延伸通过所述介电层的一部分的多个反射层互连。
15.根据权利要求12所述的LED芯片,其中,所述多个第一互连中的每个第一互连包括在约4微米至约25微米的范围内的相同直径。
16.根据权利要求12所述的LED芯片,其中,所述多个第一互连包括在约4微米至约25微米的范围内改变的直径。
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