[发明专利]具有含非反射区的反射层的光掩模

权利要求书

1.极紫外线掩模(mask)，其包含：

基板；和

反射层，其包含在所述反射层内的反射区与非反射区，其中所述反射层包含与所述基板接触的下表面、以及上表面，其中所述反射区中的辐射反射率比所述非反射区中的辐射反射率大至少100倍。

2.根据权利要求1所述的掩模，其中所述反射区中的所述辐射反射率比所述非反射区中的所述辐射反射率大至少1000倍。

3.根据权利要求1所述的掩模，其中所述辐射的波长为从250nm至1nm。

4.根据权利要求1所述的掩模，其中所述辐射的波长为从124nm至10nm。

5.根据权利要求1所述的掩模，其中所述辐射的波长为约13.5nm。

6.根据权利要求1所述的掩模，其中光以偏离表面法线大于6度的角度入射。

7.根据权利要求1所述的掩模，其中所述表面法线到所述反射区的表面法线为至少6度。

8.根据权利要求1所述的掩模，其进一步包含角小面结构。

9.根据权利要求1所述的掩模，其中所述反射率、光学响应由于周期变化、角变化或填充因子而解谐离开尖峰共振。

10.根据权利要求1所述的掩模，其中，在所述表面的平面下方，通过在所述反射层内的非反射层达到吸收，使得没有吸收体层存在。

11.根据权利要求1所述的掩模，其中所述反射涂层是多层涂层。

12.根据权利要求1所述的掩模，其中所述涂层包含钼、铌、或钌。

13.根据权利要求1所述的掩模，其中所述顶层是硅或二氧化硅。

14.根据权利要求1所述的掩模，其中所述掩模是与薄膜结合使用。

15.根据权利要求1所述的掩模，其中所述非反射区包含位于所述反射层的所述上表面处的小面(facet)。

16.根据权利要求15所述的掩模，其中所述小面包含比所述反射区的第二入射角更大的第一入射角。

17.根据权利要求16所述的掩模，其中所述第一入射角偏离所述反射区的所述法线入射大于6度。

18.根据权利要求15所述的掩模，其中所述小面包含倾斜表面，所述倾斜表面具有在所述反射层的所述上表面下方至少10度的小面角度。

19.根据权利要求18所述的掩模，其中所述小面角度是在所述反射层的所述上表面下方至少20度。

20.根据权利要求18所述的掩模，其中所述小面倾斜表面包含第一端与第二端，其中所述第二端是在所述第一端下方1nm与10nm之间。

21.根据权利要求18所述的掩模，其中所述反射层包含钼与硅、钌、铌、锝、碳化硼、或钨与碳的多层。

22.根据权利要求18所述的掩模，其中所述反射层包含钼与硅的多层。

23.根据权利要求33所述的掩模，其中所述小面填充有透明材料，使得所述反射层的所述上表面基本上是平面的。