[发明专利]具有不均匀的纵向截面的用于半导体材料的外延反应器的反应室及反应器

权利要求书

1.一种用于外延反应器的反应室，所述反应室适于在基底（62）上沉积半导体材料，所述反应室沿纵向方向延伸并且包括沿所述纵向方向延伸的反应和沉积区域（10），其中所述反应和沉积区域（10）由感受器元件限定，所述感受器元件由裸露或被覆盖的石墨制成并且适于通过电磁感应加热，其中所述感受器元件中的第一感受器元件与所述反应室的基底支撑元件（61）相对并且具有孔（20），所述孔（20）沿其整个长度沿所述纵向方向延伸，

其特征在于，

所述第一感受器元件具有取决于其纵向位置的不均匀的横向横截面，使得所述第一感受器元件对所述反应和沉积区域（10）的加热的贡献根据其纵向位置而变化。

2.根据权利要求1所述的反应室，其中所述第一感受器元件具有第一端部区域、第二端部区域和中间区域，其中所述中间区域处的截面积小于所述第一端部区域和所述第二端部区域处的截面积。

3.根据权利要求2所述的反应室，其中所述第一端部区域和所述第二端部区域相等。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的反应室，其中所述第一感受器元件包括平板和接合到所述平板的弯曲板，其中所述平板和所述弯曲板围绕所述孔（20）。

5.根据权利要求4所述的反应室，其中所述弯曲板具有至少一个切口（222）和/或至少一个孔。

6.根据权利要求4所述的反应室，其中所述弯曲板具有可变的厚度。

7.根据权利要求5所述的反应室，其中所述弯曲板具有可变的厚度。

8.根据权利要求4所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

9.根据权利要求5所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

10.根据权利要求6所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

11.根据权利要求7所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

12.根据权利要求1或2或3所述的反应室，其中所述第一感受器元件具有第一端部区域、第二端部区域和中间区域，

- 其中所述第一端部区域包括第一平板和接合到所述第一平板的第一弯曲板，

- 其中所述第二端部区域包括第二平板和接合到所述第二平板的第二弯曲板，以及

- 其中所述中间区域由第三平板组成。

13.根据权利要求12所述的反应室，包括适于沿径向方向传导热的装置，所述装置位于所述第一弯曲板和所述第二弯曲板之间。

14.根据权利要求1或2或3所述的反应室，其中所述第一感受器元件具有第一端部区域、第二端部区域和中间区域，

- 其中所述第一端部区域包括具有第一厚度的第一平板，

- 其中所述第二端部区域包括具有第二厚度的第二平板，以及

- 其中所述中间区域包括具有第三厚度的第三平板；

其中所述第三厚度低于或高于所述第一厚度和所述第二厚度。

15.根据权利要求14所述的反应室，其中所述第一平板和/或所述第二平板具有在所述纵向方向上形成的中心降低部或中心升高部。

16.根据权利要求1、3、5-11、13和15中任一项所述的反应室，包括适于在所述反应和沉积区域中支撑一个或更多个基底的盘形支撑元件，其中所述第一感受器元件相对于所述盘形支撑元件位于前方。

17.根据权利要求2所述的反应室，包括适于在所述反应和沉积区域中支撑一个或更多个基底的盘形支撑元件，其中所述第一感受器元件相对于所述盘形支撑元件位于前方。