[发明专利]在还原共反应剂存在下沉积钨或钼层的方法

权利要求书

1.一种将导电金属从含金属前体沉积到衬底上的方法，所述方法包括：

气化所述含金属前体，

使所述气化前体流动到含有衬底的沉积腔室，

使还原共反应物气体流动到所述沉积腔室，以及

使气态含氮还原化合物流动到所述沉积腔室，所述含氮还原化合物具有式H-NR₁R₂，其中：

R₁及R₂中的各者为氢气，

R₁为氢气且R₂为低碳烷基，

R₁为＝NH₂，R₂为氢气，

R₁为低碳烷基且R₂为低碳烷基，或

R₁及R₂连接以形成含氮环状化合物，以将所述前体的金属沉积在所述衬底上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体为卤化物或卤氧化物，且在所述沉积期间，所述含氮还原化合物的含氮部分与所述前体的非金属组分缔合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氮还原化合物选自：氨(NH₃)、烷基胺(例如，甲胺、乙胺、丙胺、叔丁胺)、二烷基胺、吡啶、肼及烷基化肼。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属前体包括金属原子及卤素(氯、溴或碘)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述含金属前体选自MoCl₅、MoOCl₄、MoO₂Cl₂、WCl₆、WCl₅、WOCl₄及WO₂Cl₃。

6.根据权利要求4所述的方法，其中沉积温度低于480℃。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法包括使所述含氮还原化合物以在每1sccm前体2.5到25,000sccm氢气(H₂)连同2.5到25,000sccm含氮还原气体(例如，NH₃)流的范围内的量流动到所述沉积腔室。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述衬底包括选自TiN、AlN、GaN、InN、TaN、ZrN、HfN、NbN、Mo2N、WN及其它金属氮化物的表面。

9.根据权利要求4所述的方法，其中所述衬底包括选自SiO2、SiN、SiOC、SiOCN、Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、其它金属氧化物及其组合的表面。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述衬底包括三维表面。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述衬底包括纵横比为至少20:1的表面。