[发明专利]用于控制制造过程的方法和相关设备

权利要求书

1.一种用于确定与半导体制造过程的性能度量相关的校正的方法，所述方法包括：

获得第一组预处理量测数据；

处理所述第一组预处理量测数据，包括将所述预处理量测数据分解成一个或多个分量，所述一个或多个分量：

a)与所述性能度量相关；或者

b)能够至少部分地通过作为所述半导体制造过程的一部分的控制过程进行校正；以及

将经训练的模型应用于经处理的第一组预处理量测数据以确定对所述半导体制造过程的所述校正。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体制造过程是光刻过程并且所述预处理量测数据是与经受所述光刻过程的衬底相关联的预曝光量测数据，其中所述光刻过程包括用于将结构曝光至所述衬底的曝光过程。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述一个或多个分量能够至少部分地通过作为所述光刻过程的一部分的控制过程进行校正，并且所述处理还包括从所述第一组预曝光量测数据中去除所述一个或多个分量。

4.根据权利要求2所述的方法，其中对经受所述光刻过程的每个衬底单独地执行所述方法。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一组预曝光量测数据包括与所述衬底的失真相关的数据。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一组预曝光量测数据与针对作为所述光刻过程的一部分的所述控制过程而测量的预曝光量测数据相比，是相似类型但是被更密集地测量的预曝光量测数据。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一组预曝光量测数据已经在所述曝光过程之外的过程中在衬底上被测量。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一组预曝光量测数据包括不同于第二组预曝光量测数据的外部对准数据，所述第二组预曝光量测数据至少包括已经由执行所述曝光过程和所述控制过程的曝光设备在所述衬底上测量的扫描仪对准数据。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一组预曝光量测数据至少包括不同于第二组预曝光量测数据的外部调平数据，所述第二组预曝光量测数据至少包括已经由执行所述曝光过程和所述控制过程的曝光设备在所述衬底上测量的扫描仪调平数据。

10.根据权利要求3所述的方法，其中能够至少部分地通过作为所述光刻过程的一部分的控制过程进行校正的所述一个或多个分量包括与用于对准性能度量校正的模型和/或空间频率相关的分量数据。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中应用经训练的模型的所述步骤包括基于从所述经处理的预曝光量测数据中提取的第一特征来执行模型映射，所述模型映射能够操作以将所述第一特征映射到先前在与所述性能度量相关的后处理量测数据中观察到的对应的第二特征，所述后处理量测数据已经被用于训练所述模型。

12.根据权利要求2所述的方法，其中所述经训练的模型包括经训练的神经网络模型。

13.根据权利要求12所述的方法，包括：

获得包括与所述第一组预曝光量测数据等效的第一组训练预曝光量测数据的训练数据，并且获得与所述性能度量相关的对应的一组训练后处理量测数据，其中所述第一组预曝光量测数据由所述对应的一组训练后处理量测数据标记；

以与所述处理所述第一组预曝光量测数据相对应的方式处理所述训练数据，以获得经处理的预曝光量测数据；以及

利用所述经处理的训练数据训练所述模型。