[发明专利]液晶组合物、高分子液晶性化合物的制造方法、吸光各向异性膜、层叠体及图像显示装置有效
申请号: | 201980084071.5 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN113227851B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 松山拓史;星野渉 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;C08F220/30;G02F1/1335;G02F1/13363;G09F9/00;H10K59/50;H10K50/85;H05B33/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 组合 高分子 化合物 制造 方法 各向异性 层叠 图像 显示装置 | ||
1.一种液晶组合物,其含有:
高分子液晶性化合物及二色性物质,
所述高分子液晶性化合物是具有由下述式(1)表示的重复单元(1)与由下述式(2)表示的重复单元(2)的共聚物,
所述重复单元(1)的含量相对于所述高分子液晶性化合物所具有的所有重复单元的含量为90质量%以上,
所述重复单元(2)的含量相对于所述高分子液晶性化合物所具有的所有重复单元的含量为10质量%以下,
在所述式(1)中,P1表示重复单元的主链,L1表示单键或二价连结基团,SP1表示间隔基,M1表示包含3个以上环状结构的介晶基团,T1表示末端基,
在所述式(2)中,P2及P3分别独立地表示重复单元的主链,L2及L3分别独立地表示单键或二价连结基团,SP2及SP3分别独立地表示单键或间隔基,M2及M3分别独立地表示介晶基团,n及m分别独立地表示0或1的整数。
2.根据权利要求1所述的液晶组合物,其中,
在所述式(2)中,n及m的合计为1或2。
3.根据权利要求1或2所述的液晶组合物,其中,
在所述式(2)中,由-(M2)n-(M3)m-表示的部分结构包含2个以上环状结构。
4.根据权利要求1或2所述的液晶组合物,其中,
在所述式(2)中,P2及P3为相同的基团,L2及L3均为单键或相同的基团,SP2及SP3均为单键或相同的基团,M2及M3为相同的基团。
5.根据权利要求1或2所述的液晶组合物,其中,
所述重复单元(2)的含量相对于所述高分子液晶性化合物所具有的所有重复单元的含量为0.001~3质量%。
6.权利要求1~5中任一项所述的高分子液晶性化合物的制造方法,其包括:使由下述式(1a)表示的单官能单体与由下述式(2a)表示的多官能单体共聚而获得高分子液晶性化合物的工序,
所述单官能单体的含量相对于所述高分子液晶性化合物的聚合中使用的所有单体的含量为90质量%以上,
所述多官能单体的含量相对于所述高分子液晶性化合物的聚合中使用的所有单体的含量为10质量%以下,
P1a-L11-SP1-M1-T1a (1a)
在所述式(1a)中,P1a表示聚合性基团,L1表示单键或二价连结基团,SP1表示间隔基,M1表示包含3个以上环状结构的介晶基团,T1a表示末端基,
在所述式(2a)中,P2a及P3a分别独立地表示聚合性基团,L2及L3分别独立地表示单键或二价连结基团,SP2及SP3分别独立地表示单键或间隔基,M2及M3分别独立地表示介晶基团,n及m分别独立地表示0或1的整数。
7.根据权利要求6所述的高分子液晶性化合物的制造方法,其中,
在所述式(2a)中,n及m的合计为1或2。
8.根据权利要求6所述的高分子液晶性化合物的制造方法,其中,
在所述式(2a)中,由-(M2)n-(M3)m-表示的部分结构包含2个以上环状结构。
9.根据权利要求6所述的高分子液晶性化合物的制造方法,其中,
在所述式(2a)中,P2a及P3a为相同的基团,L2及L3均为单键或相同的基团,SP2及SP3均为单键或相同的基团,M2及M3为相同的基团。
10.根据权利要求6所述的高分子液晶性化合物的制造方法,其中,
所述多官能单体的含量相对于所述高分子液晶性化合物的聚合中使用的所有单体的含量为0.001~3质量%。
11.一种吸光各向异性膜,其使用权利要求1至5中任一项所述的液晶组合物而形成。
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