[发明专利]包含嵌段共聚物的用于形成硅质膜的组合物以及使用该组合物制造硅质膜的方法

权利要求书

1.一种硅质膜的制造方法，包括：

将用于形成硅质膜的组合物涂覆在基板上而形成涂覆膜，以及

在氧化气氛中对所述涂覆膜进行加热，

其中，所述氧化气氛包含20至101kPa的氧气或0.5至101kPa的水蒸气，

其中，所述用于形成硅质膜的组合物包含：

(a)嵌段共聚物，其由具有含有5个以上硅的聚硅烷骨架的直链和/或环状嵌段A和具有含有20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B构成，嵌段A的至少一个硅和嵌段B的至少一个硅通过单键和/或含硅的交联基团连接，以及

(b)溶剂，

基于嵌段共聚物的总质量，所述嵌段共聚物的氮含量为8至25质量％，

其中，所述嵌段共聚物中，在嵌段A与另一嵌段A之间、嵌段B与另一嵌段B之间和/或嵌段A与嵌段B之间通过含硅的交联基团连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述嵌段A包含5个以上选自下式(I-1)至(I-3)的重复单元：

式中，R^Ia、R^Ib和R^Ic各自独立地为氢、卤素、C_1-6烷基或C_6-10芳基，

所述嵌段B包含20个以上选自下式(II-1)至(II-6)的重复单元：

式中，R^IIa至R^IIi各自独立地为氢或C_1-4烷基。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述嵌段共聚物的质均分子量为1100至25000。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述嵌段共聚物的分子中包含的式(I-1)至(I-3)的重复单元的总数与式(II-1)至(II-6)的重复单元的总数之比为8至100％。

5.根据权利要求2或4所述的方法，其中，所述嵌段A中的R^Ia、R^Ib和R^Ic中的至少一个为单键，其余的均为氢。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述嵌段B中的R^IIa至R^IIi中的至少一个为单键，其余的均为氢。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述嵌段共聚物由包含所述嵌段B的主链和包含所述嵌段A的侧链构成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述嵌段A的至少一个是下式(I-4)的结构：

式中，R^Id和R^Ie各自独立地是氢、卤素、C_1-6烷基、C_6-10芳基或单键，但是R^Id和R^Ie的至少一个是单键，以及

p是5以上的整数。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述溶剂的相对介电常数为3.0以下。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成涂覆膜后，在加热前，用波长248至436nm的光进行照射。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，加热在200至1000℃下进行。

12.一种电子器件，包含用根据权利要求1至11中任一项所述的方法制造的硅质膜。