[发明专利]电路板、半导体装置和电子设备在审
申请号: | 201980084733.9 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN113196478A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 宫本宗;秋下徹;樋渡玄良 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;G06F21/55;G06F21/75;G06F21/87;H01L21/82;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电路板 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,包括:
第一基体,所述第一基体透过至少一部分电磁波;
第一晶体管组,所述第一晶体管组与被保护信息相关;以及
电磁波衰减单元,所述电磁波衰减单元设置在所述第一基体和所述第一晶体管组之间的区域的至少一部分中,并且所述电磁波衰减单元衰减所述电磁波。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
堆叠的第一板和第二板,其中,
所述第一板包括所述第一基体和第二晶体管组,所述第二晶体管组与像素相关,
所述第二板包括所述第一晶体管组和第二基体,
所述第二基体的厚度大于所述第一基体的厚度,并且
所述第一基体、所述第二晶体管组、所述第一晶体管组和所述第二基体按照所述第一基体、所述第二晶体管组、所述第一晶体管组和所述第二基体的顺序的位置关系布置于堆叠方向上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一晶体管组包括与公钥加密方法、对称密钥加密方法、唯一加密方法中的至少任何一种加密方法相关联的加密电路的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
堆叠的第一板和第二板,其中,
所述第一板包括所述第一基体和第二晶体管组,所述第二晶体管组与像素相关,
所述第二板包括所述第一晶体管组,并且
从堆叠方向观察,所述电磁波衰减单元设置在一个区域中,所述区域是与所述第一晶体管组的区域重叠的区域的至少一部分,并且所述区域是与所述第二晶体管组的区域重叠的区域的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
堆叠的第一板和第二板,其中,
所述第一板包括所述第一基体和第二晶体管组,所述第二晶体管组与像素相关,
所述第二板包括所述第一晶体管组,并且
从堆叠方向观察,所述电磁波衰减单元设置在一个区域中,所述区域是与所述第一晶体管组的区域重叠的区域的至少一部分,并且所述区域是不与所述第二晶体管组的区域重叠的区域。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
堆叠的第一板和第二板,其中,
所述第一板包括所述第一基体,
所述第二板包括所述第一晶体管组,并且
所述电磁波衰减单元包括平面或网状导体,所述平面或网状导体包含单个导体层或多个导体层,并且从堆叠方向观察,所述电磁波衰减单元被设置在与所述第一晶体管组的区域重叠的区域的至少一部分中。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
堆叠的第一板和第二板,其中,
所述电磁波衰减单元包括平面或网状导体,所述平面或网状导体包含第一导体层和第二导体层,并且从堆叠方向观察,所述电磁波衰减单元被设置在与所述第一晶体管组的区域重叠的区域的至少一部分中,
所述第一板包括所述第一基体和所述第一导体层,
所述第二板包括所述第二导体层和所述第一晶体管组,并且
从堆叠方向观察,所述第一导体层的导体和所述第二导体层的导体在重叠区域的至少一部分中电接合。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
堆叠的第一板和第二板,其中,
所述第一板包括所述第一基体,
所述第二板包括所述第一晶体管组,并且
所述电磁波衰减单元包括导体线圈,所述导体线圈包含单个导体层或多个导体层,并且所述电磁波衰减单元被设置在与所述第一晶体管组的区域重叠的区域的至少一部分中。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
堆叠的第一板和第二板,其中,
所述第一板包括所述第一基体,
所述第二板包括所述第一晶体管组,并且
所述电磁波衰减单元包括导体线圈,所述导体线圈包含单个导体层或多个导体层,并且所述电磁波衰减单元被设置在不与所述第一晶体管组的区域重叠的区域中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980084733.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的