[发明专利]用于真空等离子体处理至少一个衬底或用于制造衬底的真空处理设备和方法

权利要求书

1.一种真空等离子体处理设备，包括：在真空接收器内的衬底载体，至少一个第一等离子体电极和至少一个第二等离子体电极，用于在其间生成等离子体；

-所述第一等离子体电极和第二等离子体电极可连接到电等离子体供应源布置，所述电等离子体供应源布置建立至所述第一等离子体电极的第一电势和至所述第二等离子体电极的第二电势，所述第一电势和所述第二电势相对于系统接地电势都是独立可变的；

-至少所述第一等离子体电极包括电极主体，所述电极主体具有外部图案化表面，所述表面包括第一表面区域和第二表面区域，所述第一表面区域对等离子体电极效应无贡献并且是金属材料或介电材料，所述第二表面区域是等离子体电极有效的并且是金属材料或者是沉积在金属材料上的介电材料层的表面，所述金属材料在所述第一电势上操作。

2.根据权利要求1所述的真空等离子体处理设备，其中，在至少所述第一等离子体电极的新状态中，以及在所述图案在所述主体的包壳轨迹上的投影中，所述图案的所述第二表面区域的投影面积之和与所述第一表面区域的投影面积之和的比率Q为

0.1 ≤ Q ≤ 9。

3.根据权利要求1所述的真空等离子体处理设备，其中，在至少所述第一等离子体电极的新状态中，以及所述图案在所述主体的包壳轨迹上的投影中，所述图案的所述第二表面区域的投影面积之和与所述第一表面区域的投影面积之和的比率Q为

0.4 ≤ Q ≤ 1。

4.根据权利要求1至3之一所述的真空等离子体处理设备，在至少所述第一等离子体电极的新状态中，所述第二表面区域的至少一些和所述第一表面区域的至少一些是金属材料表面区域。

5.根据权利要求1至4之一所述的真空等离子体处理设备，在至少所述第一等离子体电极的新状态中，所述第一表面区域中的至少一些是介电材料表面，并且所述第二表面区域中的至少一些是金属材料表面。

6.根据权利要求1至5之一所述的真空等离子体处理设备，在至少所述第一等离子体电极的新状态中，所述第一表面区域中的至少一些和所述第二表面区域中的至少一些是介电材料表面区域。

7.根据权利要求1至6之一所述的真空等离子体处理设备，其中，所述主体包括芯体和包壳，并且所述图案化表面的图案由所述包壳限定。

8.根据权利要求7所述的真空等离子体处理设备，其中，所述包壳是维护替换部件。

9.根据权利要求1至8之一所述的真空等离子体处理设备，在所述至少第一等离子体电极的新状态中，所述第二表面区域是金属材料，并且所述真空等离子体布置被构造成在操作中在暴露于至少所述第一等离子体电极的所述真空接收器中的空间中生成材料，所述材料的导电性低于所述第二表面区域的所述金属材料的导电性。

10.根据权利要求1至9之一所述的真空等离子体处理设备，其中，所述电极主体沿直轴延伸。

11.根据权利要求1至10之一所述的真空等离子体处理设备，其中，所述电极主体被具有椭圆或圆形或多边形横截面的几何轨迹体围绕。

12.根据权利要求1至11之一所述的真空等离子体处理设备，其中，所述电极主体被几何轨迹体围绕，所述几何轨迹体从一个方向上考虑会具有逐渐变细的横截面轮廓。

13.根据权利要求1至12之一所述的真空等离子体处理设备，其中，所述图案化表面的所述第一表面区域包括以下各项中的至少一项：

-具有金属材料表面的空隙凹部；

-具有被介电材料层覆盖的金属材料表面的空隙凹部；

-具有金属材料表面并且被介电材料填充的凹部。