[发明专利]研磨用组合物有效
申请号: | 201980084926.4 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN113227309B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 杉田规章;松下隆幸 | 申请(专利权)人: | 霓达杜邦股份有限公司 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;B24B37/00;H01L21/304 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 组合 | ||
提供一种研磨用组合物,其能够进一步降低研磨后的半导体晶圆的微少缺陷和雾度。研磨用组合物包含研磨粒、碱性化合物、具有下述通式(A)所示的1,2‑二醇结构单元的乙烯醇系树脂、以及具有下述通式(B)所示的聚氧乙烯结构单元的乙烯醇系树脂。其中,R1、R2和R3各自独立地表示氢原子或有机基团,X表示单键或键合链,R4、R5和R6各自独立地表示氢原子或有机基团,m为1~1000的整数。
技术领域
本发明涉及研磨用组合物。
背景技术
利用CMP进行的半导体晶圆的研磨通过进行3个阶段或4个阶段的多个阶段的研磨,从而实现高精度的平滑化·平坦化。在最终阶段进行的精研磨工序的主要目的在于降低微小缺陷、雾度(表面起雾)。
半导体晶圆的精研磨工序中使用的研磨用组合物通常含有羟乙基纤维素(HEC)等水溶性高分子。水溶性高分子具有使半导体晶圆表面亲水化的作用,抑制因研磨粒向表面的附着、过度的化学蚀刻、研磨粒的凝聚等而对半导体晶圆造成的损伤。已知由此能够降低微小缺陷、雾度。
HEC以天然原料的纤维素作为原料,因此有时包含来自于纤维素的水不溶性的杂质。因此,在含有HEC的研磨用组合物中,有时因该杂质的影响而产生微少缺陷。另外,HEC经常使用分子量为数十万至百万左右的分子量的HEC,但分子量越高,越容易引起过滤器的堵塞,如果为孔径小的过滤器,则液体难以通过。因此,在使用分子量大的水溶性高分子的情况下,难以除去粗大粒子。另外,也容易引起研磨粒的凝聚,因此在研磨用组合物的长期稳定性方面也存在顾虑。
在日本特开2012-216723号公报中公开了一种研磨用组合物,其包含选自具有1,2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少1种以上的水溶性高分子。
在日本专利第6245939号公报中公开了一种硅晶圆研磨液组合物,其包含在侧链上具有聚亚烷氧基的改性聚乙烯醇系聚合物。
在日本特开2016-56220号公报中公开了一种浆料组合物,其含有聚环氧烷结构单元和聚乙烯醇结构单元形成主干或侧链的水溶性聚合物。
发明内容
近年来,随着半导体器件的外观设计规则的微细化发展,对于半导体晶圆的表面的微小缺陷、雾度,也要求更严格的管理。
本发明的目的有于提供能够进一步降低研磨后的半导体晶圆的微小缺陷和雾度的研磨用组合物。
本发明的一个实施方式的研磨用组合物,其包含:研磨粒;碱性化合物;具有下述通式(A)所示的1,2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂;以及具有下述通式(B)所示的聚氧乙烯结构单元的乙烯醇系树脂。
【化学式1】
其中,R1、R2和R3各自独立地表示氢原子或有机基团,X表示单键或键合链,R4、R5和R6各自独立地表示氢原子或有机基团。m为1~1000的整数。
根据本发明,能够进一步降低研磨后的半导体晶圆的微小缺陷和雾度。
附图说明
图1是改变PEG加成PVA的含量来比较研磨特性的图表。
图2是改变PEG加成PVA的含量来比较研磨特性的图表。
图3是改变PEG加成PVA的含量来比较研磨特性的图表。
图4是改变PEG加成PVA的含量来比较研磨特性的图表。
图5是改变PEG加成PVA的含量来比较研磨特性的图表。
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