[发明专利]存储器中的单调计数器有效

专利信息
申请号: 201980085050.5 申请日: 2019-10-14
公开(公告)号: CN113302699B 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: A·蒙代洛;F·托马约洛;C·孔代米;T·泽里利 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/30;G11C16/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 中的 单调 计数器
【说明书】:

本公开揭示一种设备,例如,存储器(例如,NAND存储器),其可具有控制器、耦合到所述控制器的易失性计数器及耦合到所述控制器的非易失性存储器阵列。所述控制器可经配置以每当所述计数器的计数已递增特定数目个增量时,将除所述计数器的所述计数外的信息写入在所述阵列中。计数可为单调、非易失性及可容许电力损失的。

技术领域

本公开大体上涉及存储器,且特定来说,本公开涉及存储器中的单调计数器。

背景技术

存储器系统可实施在电子系统(例如计算机、蜂窝式电话、手持电子装置等等)中。一些存储器系统(例如固态驱动器(SSD)、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、通用快闪存储(UFS)装置及类似者)可包含用于存储来自主机的主机(例如用户)数据的非易失性存储存储器。非易失性存储存储器通过在未供电时保存所存储的数据来提供持久数据且可包含NAND(“与非”)快闪存储器、NOR(“或非”)快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、三维交叉点存储器(例如3D XPoint)、电阻随机存取存储器(RRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)及可编程导电存储器及其它类型的存储器。

在一些实例中,存储器可存储安全信息且易遭受旨在获取安全信息的恶意攻击。例如,一些安全存储器会成为重放攻击的牺牲品。例如,重放可为恶意或诈欺性重复或延迟安全信息且可涉及拦截及重传安全信息。

发明内容

在一个方面,本申请案提供一种设备,其包括:控制器;易失性计数器,其经耦合到所述控制器;及非易失性存储器阵列,其经耦合到所述控制器;其中所述控制器经配置以每当所述计数器的计数已递增特定数目个增量时,将除所述计数器的所述计数外的信息写入在所述阵列中。

在另一方面,本申请案提供一种设备,其包括:控制器;易失性计数器,其经耦合到所述控制器;及非易失性存储器单元的第一块及第二块,其经耦合到所述控制器;其中所述第一块及所述第二块中的一者经配置以具有作用状态,而所述第一块及所述第二块中的另一者具有非作用状态;所述第一块及所述第二块中的每一者包括经配置以存储第一数量个计数里程碑记录的第一区域及经配置以存储第二数量个块里程碑记录的第二区域;所述控制器经配置以:响应于具有所述作用状态的所述块的所述第一区域具有所述数量个计数里程碑记录而交换所述块的所述相应状态;将所述块里程碑记录写入在响应于所述交换而变成具有所述作用状态的所述块的所述块的所述第二区域中;及每当所述计数器的计数已递增特定数目个增量时,将所述计数里程碑记录写入在具有所述作用状态的所述块的所述第一区域中。

在另一方面,本申请案提供一种方法,其包括:通过响应于每一事件而递增易失性计数器的计数来使用所述易失性计数器计数事件;每当所述计数分别递增特定次数时,将相应计数里程碑记录写入到非易失性存储器阵列;及将所述计数器的每次相应通电时的所述计数器的相应初始化计数确定为所述特定次数乘以在所述相应通电前被写入到所述非易失性存储器的计数里程碑记录的数目。

附图说明

图1是根据本公开的若干实施例的可执行单调计数操作的设备的框图。

图2A是根据本公开的若干实施例的可促进单调计数操作的存储器单元块的框图。

图2B是根据本公开的若干实施例的单调计数的实例性阶段期间的存储器单元块的框图。

图3是根据本公开的若干实施例的存储器单元块的示意图。

具体实施方式

实例性设备(例如,存储器(例如,NAND存储器))可具有控制器、耦合到控制器的易失性计数器及耦合到控制器的非易失性存储器阵列。控制器可经配置以每当计数器的计数已递增特定数目个增量时将除计数器的计数外的信息写入在阵列中。在特定数目个增量后将信息写入到阵列可减少写入到存储器阵列的次数且可因此缓解可发生在将每一计数写入到阵列时的存储器阵列的降级(如先前方法中所发生)。

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