[发明专利]气相成长装置

说明书

本发明提供能够提高LPD品质的气相成长装置。在装载锁定室(13)至少设置有支承载具(C)的最上层的第1架(172)、在前述第1架的下部支承载具(C)的第2架(173)的气相成长装置(1)中，第2机器人(141)将从晶圆收纳容器(15)取出的处理前的晶圆(WF)搭载于在装载锁定室的前述第1架待机的载具。

技术领域

本发明涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置。

背景技术

在用于外延晶圆的制造等的气相成长装置中，为使对硅晶圆背面的损伤为最小限度，提出在将硅晶圆搭载于环状的载具的状态下在从装载锁定室至反应室的工序中搬运(专利文献1)。

这种气相成长装置中，在装载锁定室中待机的环状的载具搭载处理前的晶圆，另一方面，处理后的晶圆在搭载于环状的载具的状态下被从反应室向装载锁定室搬运。

专利文献1 : 美国专利申请公开2017/0110352号公报。

在装载锁定室中，需要处置处理前的晶圆和处理后的晶圆，但为了节省空间且提高生产率，考虑将装载锁定室多层地构成。然而，搬入装载锁定室的环状的载具被经由反应室搬入，所以成为颗粒的发生要因，有LPD(Light Point Defect，光散射辉点缺陷)品质下降的问题。

发明内容

本发明所要解决的问题是，提供能够提高LPD品质的气相成长装置。

本发明是一种气相成长装置，前述气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具，使用多个该载具，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，其特征在于，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通，在前述晶圆移载室设置有第1机器人，前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室，并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室搬运，在前述工厂接口设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，搭载于在前述装载锁定室待机的载具，并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器，在前述装载锁定室，至少设置有支承载具的最上层的第1架、在前述第1架的下部支承载具的第2架，在前述气相成长装置中，前述第2机器人将从前述晶圆收纳容器取出的处理前的晶圆，搭载于在前述装载锁定室的前述第1架待机的载具。

在本发明中，优选的是，前述第1机器人将前述第2机器人从前述晶圆收纳容器取出的处理前的晶圆搭载于在前述装载锁定室的前述第1架待机的载具时，在前述第1架不存在载具的情况下，将支承于前述第2架的载具向前述第1架移载。

在本发明中，更优选为，前述第1机器人将在前述反应室结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出，向前述装载锁定室的第2架搬运。

在本发明中，更优选为，在前述装载锁定室，设置有在前述第2架的下部支承载具的第3架。

在本发明中，更优选为，前述第1机器人在其上表面具备搭载前述载具的第1叶片。

在本发明中，更优选为，在前述第1叶片的上表面，形成有与前述载具的外周侧壁面的一部分对应的凹部。

在本发明中，更优选为，前述第2机器人在其上表面具备搭载前述晶圆的第2叶片。

在本发明中，更优选为，前述CVD膜是硅外延膜。