[发明专利]晶片传送装置、气相沉积装置、晶片传送方法及外延硅晶片的制造方法

权利要求书

1.一种晶片传送装置，向在硅晶片上形成外延膜的气相沉积装置的基座传送所述硅晶片，其特征在于，

所述晶片传送装置包括：

搬运机构，保持所述硅晶片并将其搬运至所述基座上；及

载置机构，将利用所述搬运机构搬运的所述硅晶片载置至所述基座，

所述载置机构包括：

多个升降销，可升降地插入于贯穿所述基座的多个贯穿孔的各自；及

相对移动机构，使所述多个升降销与所述基座相对移动，

所述相对移动机构使所述多个升降销相对于所述基座上升，由此以所述多个升降销支承所述硅晶片的下表面，并且，在解除利用所述搬运机构进行的所述硅晶片的保持后，使所述多个升降销相对于所述基座下降，由此将所述硅晶片载置至所述基座，

当以所述多个升降销支承所述硅晶片时，所述搬运机构与所述载置机构中至少一者的结构构成为特定的升降销最初接触所述硅晶片的下表面。

2.根据权利要求1所述的晶片传送装置，其特征在于，

在所述特定的升降销上端位于比其他升降销上端高的位置的状态下，所述相对移动机构使所述多个升降销相对于所述基座上升。

3.根据权利要求2所述的晶片传送装置，其特征在于，

在所述特定的升降销上端位于比其他升降销上端高0.5mm以上且5mm以下的位置的状态下，所述相对移动机构使所述多个升降销相对于所述基座上升。

4.根据权利要求2或3所述的晶片传送装置，其特征在于，

所述多个升降销具有相同长度，

所述相对移动机构包括升降销支承部件，所述升降销支承部件具有分别抵接于所述多个升降销下端的多个抵接部且相对于所述基座相对移动，

抵接于所述特定的升降销的所述抵接部上端设置在比其他所述抵接部上端高的位置。

5.根据权利要求2或3所述的晶片传送装置，其特征在于，

所述特定的升降销形成为比其他升降销长，

所述相对移动机构包括升降销支承部件，所述升降销支承部件具有分别抵接于所述多个升降销下端的多个抵接部且相对于所述基座相对移动，

所述多个抵接部上端设置在相同高度的位置。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的晶片传送装置，其特征在于，

所述搬运机构搬运所述硅晶片，以使在所述基座上，所述硅晶片中以所述特定的升降销支承的部分位于比其他部分更靠下侧。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的晶片传送装置，其特征在于，

所述搬运机构包括纵长形状的支承部件，通过将载置有所述硅晶片的所述支承部件向其长度方向移动，将所述硅晶片搬运至所述基座上，

所述支承部件包括从互相分离的位置沿该支承部件的长度方向延伸的一对延伸部，

所述相对移动机构将所述多个升降销中位于所述一对延伸部之间的升降销作为所述特定的升降销并使其接触所述硅晶片的下表面。

8.一种气相沉积装置，在硅晶片上形成外延膜，其特征在于，

所述气相沉积装置包括：

基座，载置所述硅晶片；及

权利要求1～7中任一项所述的晶片传送装置，将所述硅晶片传送至所述基座。

9.一种晶片传送方法，向在硅晶片上形成外延膜的气相沉积装置的基座传送所述硅晶片，其特征在于，

所述晶片传送方法包括如下工序：

搬运工序，保持所述硅晶片并将其搬运至所述基座上；及

载置工序，将通过所述搬运工序搬运的所述硅晶片载置至所述基座，

所述载置工序包括相对移动工序，在所述相对移动工序中，使可升降地插入于贯穿所述基座的多个贯穿孔的各自的多个升降销相对于所述基座上升，由此支承所述基座上的所述硅晶片下表面，并且，在解除通过所述搬运工序进行的所述硅晶片的保持后，使多个升降销相对于所述基座下降，由此将所述硅晶片载置至所述基座，

当以所述多个升降销支承所述硅晶片时，所述搬运工序与所述载置工序中的至少一个工序使特定的升降销最初接触所述硅晶片的下表面。