[发明专利]多束检查装置

说明书

公开了微结构偏转器阵列(622)，微结构偏转器阵列(622)包括多个多极结构(622‑1至622‑47)。微偏转器的偏转器阵列包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构(622‑26、……622‑47)以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构(622‑1)。第一径向偏移大于第二径向偏移，并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。微结构偏转器阵列可以被包含在多束检查装置的改进的源转换单元中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月31日提交的美国申请62/787,157的优先权，该申请通过整体引用并入本文。

技术领域

本文中提供的实施例总体上涉及多束检查装置，并且更具体地涉及包括改进的源转换单元的多束检查装置。

背景技术

在制造半导体集成电路(IC)芯片时，在制造过程期间，晶片或掩模上不可避免地会出现图案缺陷或异物粒子(残留物)，从而降低产率。例如，对于具有较小关键特征尺寸的图案，异物粒子可能会带来麻烦，而较小关键特征尺寸已被采用来满足IC芯片越来越先进的性能要求。

具有带电粒子束的图案检查工具已被用于检测缺陷或异物粒子。这些工具通常采用扫描电子显微镜(SEM)。在SEM中，具有相对高能量的初级电子束被减速，以相对低的着陆能量落在样本上并且被聚焦以在其上形成探测点。由于初级电子的该聚焦探测点，次级电子将从表面生成。次级电子可以包括由初级电子与样本的相互作用产生的反向散射电子、次级电子或俄歇电子。通过扫描样本表面之上的探测点并收集次级电子，图案检查工具可以获得样本表面的图像。

发明内容

本文提供的实施例公开了粒子束检查装置，并且更具体地公开了使用多个带电粒子束的检查装置。

在一些实施例中，检查装置中的微结构偏转器阵列包括多个多极结构，每个多极结构包括多个极电极。微偏转器阵列包括：多个多极结构中的第一多极结构，第一多极结构具有距阵列中心轴线的第一径向偏移；以及多个多极结构中的第二多极结构，第二多极结构具有距阵列中心轴线的第二径向偏移。第一径向偏移大于第二径向偏移。此外，第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时，减少偏转像差。

在一些实施例中，微结构偏转器阵列可以包括多极结构的一个或多个层。多个多极结构的第一层包括具有距阵列中心轴线的第一径向偏移的第一多极结构以及具有距阵列中心轴线的第二径向偏移的第二多极结构。第一径向偏移大于第二径向偏移。此外，第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以减少对应带电粒子束的偏转像差。微结构偏转器阵列还包括多个多极结构的第二多极结构层，第二多极结构层包括具有距阵列中心轴线的第三径向偏移的第三多极结构。

在一些实施例中，提供了制造微结构偏转器阵列的方法。微结构偏转器阵列包括多个多极结构并且每个多极结构包括多个极电极。方法包括将第一多极结构形成为距阵列中心轴线具有第一径向偏移。方法还包括将第二多极结构形成为距阵列中心轴线具有第二径向偏移，其中第一径向偏移大于第二径向偏移并且第一多极结构具有与第二多极结构不同数量的极电极。

通过结合附图进行的以下描述，本发明的其他优点将变得显而易见，在附图中通过例示和示例的方式阐述了本发明的某些实施例。

附图说明

通过结合附图对示例性实施例的描述，本公开的上述和其他方面将变得更加明显。

图1是图示了与本公开的实施例一致的示例性带电粒子束检查系统的示意图。

图2是图示了与本公开的实施例一致的作为图1的示例性带电粒子束检查系统的一部分的示例性多束装置的示意图。