[发明专利]基于外延层的X射线检测器及其制备方法在审
申请号: | 201980087441.0 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN113302485A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 曹培炎;刘雨润 | 申请(专利权)人: | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 外延 射线 检测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种方法,其包括:
在支撑在衬底上的外延层的第一表面上形成电触点,所述第一表面与所述衬底相对;
将所述外延层键合至电子器件层,其中所述第一表面面向所述电子器件层,并且所述第一表面上的所述电触点被键合至所述电子器件层的所述电触点;
通过移动所述衬底而暴露与所述第一表面相对的第二表面;并且
在所述第二表面上形成公共电极。
2.如权利要求1所述的方法,其进一步包括将所述外延层生长到所述衬底上。
3.如权利要求2所述的方法,其进一步包括在所述外延层生长期间在所述外延层中形成p-n结或p-i-n结。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述外延层包括p-n结或p-i-n结。
5.如权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述公共电极上形成闪烁体层,所述闪烁体层与所述外延层相对。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述闪烁体层包括多孔硅。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述外延层的厚度为1-10微米。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述公共电极包括栅极。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述公共电极包括银(Ag)纳米线、碳纳米管、石墨、石墨烯或其任意组合。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述电子器件层包括:
第一电压比较器,其被配置为将所述第一表面上的至少一个所述电触点的电压与第一阈值进行比较;
第二电压比较器,其被配置为将所述电压与第二阈值进行比较;
计数器,其被配置为记录被所述外延层吸收的若干X射线光子;
控制器;
其中所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时启动时间延迟;
其中所述控制器被配置为在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器;
其中所述控制器被配置为当所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时使所述计数器记录的数目增加一。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述电子器件层进一步包括电连接到所述第一表面上的所述至少一个所述电触点的积分器,其中所述积分器被配置为从所述第一表面上的所述至少一个所述电触点收集载流子。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述控制器被配置为在所述时间延迟的开始或期满时启动所述第二电压比较器。
13.如权利要求10所述的方法,其中所述电子器件层进一步包括电压表,并且所述控制器被配置为使所述电压表在所述时间延迟期满时测量所述电压。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述控制器被配置为基于在所述时间延迟期满时测得的所述电压的值来确定X射线光子能量。
15.如权利要求10所述的方法,其中所述控制器被配置为连接所述第一表面上的所述至少一个所述电触点到电接地。
16.如权利要求1所述的方法,其中所述外延层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。
17.一种方法,其包括:
将分析物置于X射线检测器上,其中所述X射线检测器包括外延层;
使所述分析物产生X射线荧光;
通过所述外延层吸收至少一部分所述X射线荧光;
基于所述X射线荧光在所述外延层中产生的电信号检测所述X射线荧光。
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