[发明专利]通过外延横向过生长获得平滑表面的方法

说明书

一种用于以外延横向过生长获得epi层的平滑表面的方法。该方法不使用错切的取向，也不抑制椎体形小丘的出现，而是将椎体形小丘嵌入epi层中。生长限制掩模用于限制椎体形小丘在横向方向上的扩展。由于椎体形小丘的消失，epi层的表面变得极为平滑。

相关申请的交叉引用

根据35U.S.C第119(e)节，本申请要求以下共同待决且共同转让的申请的权益：

由Takeshi Kamikawa和Srinivas Gandrothula于2018年10月31日提交的美国临时申请序列号62/753,225，题为“获得具有表面横向过度增长的平滑表面的方法(METHODOF OBTAINING A SMOOTH SURFACE WITH EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)”，代理案号为GC 30794.0693USP1(UC 2019-166-1)；

该申请通过引用并入本文。

本申请与以下共同待决且共同转让的申请有关：

由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年5月7日提交的PCT国际专利申请号PCT/US18/31393，题为“移除基板的方法(METHODOF REMOVING A SUBSTRATE)”，代理卷号为30794.0653WOU1(UC 2017-621-2)，该申请根据35U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2017年5月5日提交的共同待决和共同转让的美国临时专利申请号62/502,205的权益，其题为“移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE)”，代理案号为30794.0653USP1(UC 2017-621-1)；

由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年9月17日提交的PCT国际专利申请号PCT/US18/51375，题为“用剪切技术移除基板的方法(METHOD OFREMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)”，代理案号为30794.0659WOU1(UC2018-086-2)，该申请根据35 U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、SrinivasGandrothula和Hongjian Li于2017年9月15日提交的共同待决且共同转让的美国临时专利申请号62/559,378号的权益，其题为“用剪切技术移除基板的方法(METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)”，代理案号为30794.0659USP1(UC 2018-086-1)；

由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2019年4月1日提交的PCT国际专利申请号PCT/US19/25187，题为“使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法(METHOD OF FABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USINGEPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)”，代理案号为30794.0680WOU1(UC 2018-427-2)，该申请根据35U.S.C第119(e)节要求由Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2018年3月30日提交的共同待决且共同转让的美国临时专利申请序列号62/650,487的权益，其题为“使用外延横向过生长制造非极性和半极性器件的方法(METHOD OFFABRICATING NONPOLAR AND SEMIPOLAR DEVICES USING EPITAXIAL LATERALOVERGROWTH)”，代理案号为GC 30794.0680USP1(UC 2018-427-1)；