[发明专利]透明导电电路

权利要求书

1.透明导电膜TCF，包括：

具有表面的基底；

在所述基底的表面的至少一部分上的金属网层；和

在所述金属网层上的导电层，所述导电层包括碳纳米管CNT和粘合剂，

其中所述导电层封装所述金属网层，并且

粘合剂：CNT比率高于240：1。

2.权利要求1的TCF，还包括在所述金属网层和所述导电层之间的第二金属层。

3.权利要求2的TCF，其中所述第二金属层包括铜层。

4.权利要求3的TCF，其中所述铜层被电镀在所述金属网层上。

5.权利要求1的TCF，其中所述TCF具有不超过1欧姆/平方的薄层电阻。

6.权利要求1的TCF，其中组合的所述金属网层和所述导电层具有至少85％的可见光透射率VLT。

7.权利要求6的TCF，其中组合的所述金属网层和所述导电层具有至少90％的VLT。

8.权利要求1的TCF，其中所述金属网层包括互连的金属迹线的网络，其中在所述迹线之间具有开放空间。

9.权利要求8的TCF，其中所述网络为六边形、矩形或无规图案。

10.权利要求8的TCF，其中所述金属网层包括至少90％的开放空间。

11.权利要求8的TCF，其中所述金属迹线具有不超过30微米的线宽。

12.权利要求8的TCF，其中所述金属网层的开放空间具有为所述金属迹线的宽度的至少十五倍的宽度。

13.权利要求8的TCF，其限定具有拥有宽度的导电线的电路，其中所述导电线的宽度为金属网开放空间的宽度的至少十倍。

14.权利要求1的TCF，其中所述金属网包括两种不同的金属，在第一金属上方的第二金属。

15.权利要求14的TCF，其中所述第一金属包括银并且所述第二金属包括铜。

16.权利要求1的TCF，其中所述导电层中的CNT包括具有1-10mg/m2的面密度的网络。

17.制造透明导电膜TCF的方法，包括：

提供具有表面的基底；

在所述基底的表面的至少一部分上沉积金属网层或纳米线层；和

在所述金属网层或所述纳米线层的至少一些上图案化导电层，所述导电层包括碳纳米管CNT和粘合剂，

其中所述导电层封装所述金属网层，并且

粘合剂：CNT比率高于240∶1。

18.权利要求17的方法，还包括在图案化所述导电层之前将第二金属层沉积在所述金属网层上。

19.权利要求17的方法，其中所述纳米线层包括银纳米线。

20.权利要求17的方法，还包括蚀刻未被所述导电层覆盖的暴露的金属网层或纳米线层。

21.权利要求20的方法，其中通过将蚀刻剂喷洒到所述TCF上而进行蚀刻。

22.权利要求21的方法，其中所述蚀刻剂包括硝酸铁。