[发明专利]处理腔室混合系统在审
申请号: | 201980088280.7 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN113287185A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | G·萨布斯瓦米;S·沃内特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 付尉琳;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 混合 系统 | ||
1.一种处理系统,包含:
处理腔室;
远程等离子体单元,所述远程等离子体单元与所述处理腔室耦接;
挡板,所述挡板并入于所述处理腔室与所述远程等离子体单元之间;以及
混合歧管,所述混合歧管耦接在所述远程等离子体单元与所述处理腔室之间,其中所述混合歧管由第一端和与所述第一端相对的第二端表征,其中所述混合歧管与所述处理腔室在所述第二端处耦接,其中所述混合歧管限定通过所述混合歧管的中央通道,其中所述混合歧管限定沿着所述混合歧管的外部的端口,其中所述端口与限定在所述混合歧管的所述第一端内的第一沟槽流体地耦接,其中所述第一沟槽由在第一内侧壁处的内半径以及外半径表征,并且其中所述第一沟槽提供通过所述第一内侧壁到所述中央通道的流体通路。
2.如权利要求1所述的处理系统,其中所述混合歧管进一步包含第二沟槽,所述第二沟槽被限定在所述混合歧管的所述第一端内,其中所述第二沟槽从所述第一沟槽径向向外定位,其中所述端口与所述第二沟槽流体地耦接,其中所述第二沟槽由在第二内侧壁处的内半径表征,其中所述第二内侧壁进一步限定所述第一沟槽的所述外半径,并且其中所述第二内侧壁限定多个孔,所述孔被限定为通过所述第二内侧壁并且提供通往所述第一沟槽的流体通路。
3.如权利要求1所述的处理系统,其中所述挡板被定位在所述混合歧管的上游处。
4.如权利要求3所述的处理系统,其中所述挡板是第一挡板,并且其中所述处理系统进一步包含第二挡板,所述第二挡板被定位在所述混合歧管的下游处,其中所述第一挡板和所述第二挡板各自限定一个或多个孔,并且其中所述第一挡板由与所述第二挡板不同的孔轮廓表征。
5.如权利要求3所述的处理系统,其中所述挡板限定通过所述挡板的多个孔,其中所述多个孔中的每个孔被限定为从所述挡板的第一表面作为入口通过与所述挡板的所述第一表面相对的所述挡板的第二表面作为出口,并且其中所述出口围绕垂直于所述挡板并且延伸通过所述入口的轴而相对于所述入口径向地偏移以限定通过每个孔的旋转通道。
6.如权利要求3所述的处理系统,其中所述挡板包含陶瓷或经涂覆的铝。
7.如权利要求1所述的处理系统,进一步包含隔离器,所述隔离器被耦接在所述混合歧管与所述远程等离子体单元之间,其中所述隔离器包含陶瓷。
8.如权利要求1所述的处理系统,进一步包含:
适配器,所述适配器耦接在所述混合歧管与所述远程等离子体单元之间,以及
间隔件,所述间隔件被定位在所述适配器与所述混合歧管之间。
9.如权利要求8所述的处理系统,其中所述适配器由第一端和与所述第一端相对的第二端表征,其中所述适配器限定中央通道,所述中央通道部分地通过适配器延伸,其中所述适配器限定通过所述适配器的外部的端口,其中所述端口与被限定在所述适配器内的混合通道流体地耦接,并且其中所述混合通道与所述中央通道流体地耦接,并且其中所述挡板被安置在被限定在所述适配器的所述第二端中的凹部中。
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