[发明专利]窗口和制造其的方法

权利要求书

1.一种窗口，包括：

包括前表面和后表面的基底基板；和

设置在所述基底基板的所述后表面上的边框层，

其中所述前表面具有0.2nm至3nm的范围内的粗糙度。

2.如权利要求1所述的窗口，其中所述基底基板包括玻璃。

3.如权利要求1所述的窗口，其中所述基底基板包括氧化锂(Li₂O)。

4.如权利要求3所述的窗口，其中所述基底基板进一步包括氧化磷(P₂O₄)。

5.如权利要求2所述的窗口，其中在从所述前表面到所述基底基板的厚度方向上的预定深度的范围内施加压应力。

6.如权利要求1所述的窗口，其中限定了预定的弯曲轴，所述弯曲轴在与所述基底基板的厚度方向交叉的方向上延伸，并且

所述基底基板的至少一部分关于所述弯曲轴弯曲。

7.一种制造窗口的方法，包括：

提供初始窗口的步骤，所述初始窗口包括玻璃且包括氧化锂；和

冲洗所述初始窗口的冲洗步骤，

其中所述冲洗步骤包括：

将所述初始窗口提供到酸性环境中的酸冲洗步骤；和

将已经经过所述酸冲洗步骤的所述初始窗口提供到碱性环境中的碱冲洗步骤。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述酸性环境具有2或更低的pH。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述酸性环境包括酸性溶液，所述酸性溶液包括硝酸(HNO₃)、硫酸(H₂SO₄)或盐酸(HCl)中的至少一种。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述酸冲洗步骤在60℃至65℃的温度下进行约5分钟至10分钟。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述碱性环境具有13或更高的pH。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述碱性环境包括碱性溶液，所述碱性溶液包括氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)中的至少一种。

13.如权利要求7所述的方法，其中已经经过所述酸冲洗步骤的所述窗口包括：

第一层，包括碱金属和硅，所述硅相对于所述碱金属具有预定的含量比；和

第二层，形成在所述第一层的表面上并且具有比所述第一层更高的硅含量比。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第二层形成在所述初始窗口的一部分处，所述碱金属在所述酸冲洗步骤期间从所述初始窗口的一部分洗脱出来。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层的厚度为200nm至500nm。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述碱冲洗步骤通过从所述第一层移除所述第二层而形成窗口。

17.如权利要求7所述的方法，其中所述窗口的表面粗糙度小于或等于所述初始窗口的表面粗糙度。

18.如权利要求17所述的方法，其中已经经过所述酸冲洗步骤的所述窗口的表面粗糙度大于或等于所述初始窗口的表面粗糙度。