[发明专利]激光用腔装置、气体激光装置和电子器件的制造方法在审
申请号: | 201980088626.3 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN113287235A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 石井卓也;伊藤贵志;鲸凉太 | 申请(专利权)人: | 极光先进雷射株式会社 |
主分类号: | H01S3/038 | 分类号: | H01S3/038 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于英慧;崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 装置 气体 电子器件 制造 方法 | ||
激光用腔装置可以具有:电介质的管;内电极,其沿着管的长度方向延伸,被配置于管的贯通孔内;外电极,其包含接触板和由多个条部件构成的阶梯部,该接触板沿着管的长度方向延伸,与管的外周面接触,该多个条部件的一端与接触板连接,该多个条部件沿着接触板的长度方向并列设置;以及板簧,其沿着管的长度方向延伸,将外电极按压于管,板簧包含被缝划分的多个板簧片,该缝是从沿着管的长度方向的缘部切出的,板簧片包含沿着缘部折曲的折曲部,在比折曲部靠缘部侧按压条部件。
技术领域
本公开涉及激光用腔装置、气体激光装置和电子器件的制造方法。
背景技术
近年来,在半导体曝光装置(以下称为“曝光装置”)中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。一般而言,在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长为248nm的紫外光的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外光的激光的ArF准分子激光装置。
作为新时代的曝光技术,曝光装置侧的曝光用透镜与晶片之间被液体充满的液浸曝光已经实用化。在该液浸曝光中,曝光用透镜与晶片之间的折射率变化,因此,曝光用光源的外观的波长变短。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下,对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光或ArF液浸光刻。
KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡幅度较宽,大约为350~400pm。因此,当利用如下材料构成投影透镜时,有时产生色差,该材料透射KrF和ArF激光这样的紫外光。其结果,分辨率会降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此,为了对谱线宽度进行窄带化,有时在气体激光装置的激光谐振器内设置具有标准具、光栅等窄带化元件的窄带化模块(Line Narrow Module:LNM)。下面,将谱线宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第9748727号说明书
专利文献2:美国专利第8712302号说明书
发明内容
本公开的一个方式可以是一种激光用腔装置,其具有:电介质的管;内电极,其沿着管的长度方向延伸,被配置于管的贯通孔内;外电极,其包含接触板和由多个条部件构成的阶梯部,该接触板沿着管的长度方向延伸,与管的外周面接触,该多个条部件的一端与接触板连接,该多个条部件沿着接触板的长度方向并列设置;以及板簧,其沿着管的长度方向延伸,将外电极按压于管,板簧包含被缝划分的多个板簧片,该缝是从沿着管的长度方向的缘部切出的,板簧片包含沿着缘部折曲的折曲部,在比折曲部靠缘部侧按压条部件。
本公开的另一个方式可以是一种气体激光装置,其具有激光用腔装置,其中,激光用腔装置具有:电介质的管;内电极,其被配置于管的贯通孔内;外电极,其包含接触板和由多个条部件构成的阶梯部,该接触板沿着管的长度方向延伸,与管的外周面接触,该多个条部件的一端与接触板连接,该多个条部件沿着接触板的长度方向并列设置;以及板簧,其沿着管的长度方向延伸,将外电极按压于管,板簧包含被缝划分的多个板簧片,该缝是从沿着管的长度方向的缘部切出的,板簧片包含沿着缘部折曲的折曲部,在比折曲部靠缘部侧按压条部件。
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