[发明专利]非水电解质二次电池用负极活性物质及其制备方法

权利要求书

1.一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其为包含负极活性物质颗粒的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，

所述负极活性物质颗粒含有硅化合物颗粒，该硅化合物颗粒包含硅化合物SiO_X，其中，0.5≤X≤1.6，

所述硅化合物颗粒含有非晶硅及微晶硅中的至少一种以上，

所述负极活性物质颗粒含有Li₂SiO₃及Li₂Si₂O₅中的至少一种以上作为锂化合物，

所述负极活性物质颗粒在该负极活性物质颗粒的表层部上附着有具有沸石的晶体结构的化合物。

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述具有沸石的晶体结构的化合物在使用了CuKα射线的X射线衍射中，于衍射角2θ为21～22°的范围内出现衍射峰。

3.根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，对于所述具有沸石的晶体结构的化合物，基于使用了CuKα射线的X射线衍射中的于衍射角2θ为21～22°的范围内出现的衍射峰的半值宽度，并利用谢乐公式而求得的微晶尺寸为10nm以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述具有沸石的晶体结构的化合物为铝硅酸盐、磷酸铝、铝硼酸盐、磷酸钼以及铝砷酸盐中的至少一种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述具有沸石的晶体结构的化合物的粒度分布中的以体积基准计为50％的粒径D1、与所述硅化合物颗粒的粒度分布中的以体积基准计为50％的粒径D2，满足0.01≤D1/D2≤2的关系。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述负极活性物质颗粒在使用了CuKα射线的X射线衍射中，于衍射角2θ为21～22°的范围内出现的由具有沸石的晶体结构的化合物引起的衍射峰的峰高P4、与于衍射角2θ为17～21°的范围内出现的由Li₂SiO₃的至少一部分引起的衍射峰的峰高P3，满足P4/P3≤1的关系。

7.根据权利要求6所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述P4/P3满足P4/P3≤0.5的关系。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述硅化合物颗粒在使用了CuKα射线的X射线衍射中，于衍射角2θ为23～26°的范围内出现的由Li₂Si₂O₅的至少一部分引起的衍射峰的峰高P1、与于衍射角2θ为44～50°的范围内出现的由Si(220)引起的衍射峰的峰高P2，满足0.01≤P2/P1≤1的关系。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述硅化合物颗粒在使用了CuKα射线的X射线衍射中，于衍射角2θ为17～21°的范围内出现的由Li₂SiO₃的至少一部分引起的衍射峰的峰高P3、与于衍射角2θ为44～50°的范围内出现的由Si(220)引起的衍射峰的峰高P2，满足0.01≤P2/P3≤0.1的关系。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质，其特征在于，所述硅化合物颗粒在使用了CuKα射线的X射线衍射中，于衍射角2θ为23～26°的范围内出现的由Li₂Si₂O₅的至少一部分引起的衍射峰的峰高P1、与于衍射角2θ为17～21°的范围内出现的由Li₂SiO₃引起的衍射峰的峰高P3，满足0.01≤P1/P3≤1的关系。