[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980088933.1 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113330556A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 盐田裕基;本宫哲男;田尻邦彦;冈田纯;山田大海;门脇和丈 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/04;H01L23/08 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一框架，围住半导体芯片的外周；以及
第二框架，围住所述第一框架的外周，
所述第二框架包括：外壁，围住所述第一框架的外周；以及纤维状的加强构件，缠绕于所述外壁的外周。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片被盖板和底板按压而与所述半导体芯片的表面电极以及背面电极接触并电连接。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述外壁由具有比所述第一框架高的耐冲击性以及冲击吸收性的材料构成。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述加强构件由具有比所述外壁高的断裂强度的材料构成。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述外壁以及所述加强构件由高分子材料构成。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述外壁由超高分子量聚乙烯树脂构成。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述加强构件由超高分子量聚乙烯纤维构成。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述外壁设置有将所述加强构件进行嵌合来缠绕的沟槽。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
以圆筒形来设置所述第二框架。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
以多边形来设置所述外壁的外侧的形状，以圆形来设置所述外壁的内侧的形状。
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