[发明专利]光致光学互连部在审
申请号: | 201980088954.3 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN113302532A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | R·A·阿哈迈德;D·J·迪吉瓦尼 | 申请(专利权)人: | OFS菲特尔有限责任公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/43;H01L33/46 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杜文树 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 互连 | ||
1.一种系统,包括:
第一端口,所述第一端口选自由以下组成的组:
激光源;
包括波导的集成电路IC芯片;以及
光纤;
第二端口,所述第二端口选自由以下组成的组:
激光源;
包括波导的IC芯片;以及
光纤;
直接耦合到所述第一端口的光致折射率改变材料,所述光致折射率改变材料直接耦合到所述第二端口,所述光致折射率改变材料选自由以下各项组成的群组:
光聚合物;
硫族化物;以及
电介质;以及
可动态形成的光学互连结构,用于在所述第一端口与所述第二端口之间光学耦合光,所述可动态形成的光学互连结构能够通过选择性地曝光所述光致折射率改变材料的一部分而在所述光致折射率改变材料中形成,所述选择性曝光引起百分之0.01(%)与百分之十(10%)之间的折射率改变,所述可动态形成的光学互连结构包括:
由所述折射率改变限定的波导区域,所述波导区域具有在0.5微米(μm)与二十(20)μm之间的直径;
小于两(2)分贝(dB)的损耗;以及
小于一(1)厘米(cm)的长度。
2.一种系统,包括:
第一端口;
第二端口;
光致折射率改变材料,直接耦合到所述第一端口,所述光致折射率改变材料进一步直接耦合到所述第二端口;以及
用于将所述第一端口光学耦合到所述第二端口的光学互连结构,所述光学互连结构能够通过选择性地曝光所述光致折射率改变材料的一部分而在所述光致折射率改变材料中形成,所述选择性地曝光在所述光致折射率改变材料中引起折射率改变。
3.根据权利要求2所述的系统,其中,所述折射率改变在百分之0.01(%)和百分之十(10%)之间。
4.根据权利要求2所述的系统,其中,所述光学互连结构包括由所述折射率改变限定的波导区域,所述波导区域具有在0.5微米(μm)与二十(20)μm之间的直径。
5.根据权利要求2所述的系统,其中,所述光学互连结构包括小于两(2)分贝(dB)的损耗。
6.根据权利要求2所述的系统,其中,所述光学互连结构包括小于一(1)厘米(cm)的长度。
7.根据权利要求2所述的系统,其中,所述第一端口是从由以下各项组成的组中选择的一个:
激光源;
包括波导的集成电路(IC)芯片;以及
光纤。
8.根据权利要求7所述的系统,其中,所述光纤包括多个纤芯。
9.根据权利要求2所述的系统,其中,所述第一端口是从由以下各项组成的组中选择的一个:
激光源;
集成电路(IC)芯片,包括波导;以及
光纤。
10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述光纤包括多个纤芯。
11.根据权利要求2所述的系统,其中,所述光致折射率改变材料选自由以下组成的群组:
光聚合物;
硫族化物;以及
电介质。
12.一种在包括第一端口、第二端口和直接耦合到第一端口的光致折射率改变材料的系统中的处理,所述光致折射率改变材料进一步直接耦合到所述第二端口,所述处理包括:
将光从所述第一端口发射到所述光致折射率改变材料中;
用所发射的光曝光所述光致折射率改变材料的一部分;
在所曝光的部分中引起百分之0.01(%)和百分之十(10%)之间的折射率改变;以及
由所引起的折射率改变来形成光学互连部,所述光学互连部光学地耦合所述第一端口和所述第二端口。
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