[发明专利]电子设备及用于抑制电子设备的噪声的方法

权利要求书

1.一种电子设备，所述电子设备包括：

-石墨烯场效应晶体管(GFET)；以及

-噪声抑制装置，所述噪声抑制装置包括调制单元，所述调制单元被配置为生成电压振荡时变信号(V_g)并将所述电压振荡时变信号(V_g)施加到所述GFET的栅电极结构(G)，所述电压振荡时变信号(V_g)具有频率为f_m的至少一个分量并且在第一电压值(V_g1)与第二电压值(V_g2)之间振荡，所述第一电压值(V_g1)和所述第二电压值(V_g2)被选定成使得所述GFET的石墨烯通道的电荷载流子密度至少在所述频率f_m处在电荷载流子密度值之间围绕所述石墨烯的电荷中性点被调制，

其特征在于，所述噪声抑制装置包括控制单元(CU)和解调电路，所述解调电路是采用CMOS实现的并且所述解调电路包括第一电路分支和第二电路分支，所述第一电路分支和所述第二电路分支在所述控制单元(CU)的控制下交替地切换，以当所述石墨烯通道在围绕所述石墨烯的所述电荷中性点的所述调制下时，对循环通过所述GFET的所述石墨烯通道的调制电流的至少频率为f_m的电信号进行解调。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电路分支和所述第二电路分支在所述控制单元(CU)的控制下交替地切换，以当所述GFET被偏置并且所述石墨烯通道在围绕所述石墨烯的所述电荷中性点的所述调制下时，分别对循环通过所述石墨烯通道的调制电流的至少频率为f_m的所述电信号的第一部分(S1o)和第二部分(S2o)进行采样。

3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述解调电路还包括：

-高通滤波器(HF)，所述高通滤波器(HF)具有小于频率f_m的截止频率f_c1，并且所述高通滤波器(HF)将所述GFET的供所述调制电流流出的输出(D)或电连接至所述输出(D)的另一部件的输出与所述解调电路的输入电连接；以及

-后处理单元(PU)，所述后处理单元(PU)电连接到所述第一电路分支和所述第二电路分支的相应输出，以在所述控制单元(CU)的控制下接收经采样的所述第一部分(S1o)和所述第二部分(S2o)，并且所述后处理单元(PU)被配置对经采样的所述第一部分(S1o)和所述第二部分(S2o)进行处理以提供解调输出信号(So)。

4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述后处理单元(PU)被配置为根据以下线性组合的类型中的一种或更多种类型来处理经采样的所述第一部分(S1o)和所述第二部分(S2o)以提供所述解调输出信号(So)：加法、减法、或者加权加法和加权减法。

5.根据权利要求2、3或4所述的设备，其中，所述第一电路分支和所述第二电路分支中的每一者包括：

-开关(SW1、SW2)，所述开关(SW1、SW2)被配置和布置为当所述开关(SW1、SW2)处于由所述控制单元(CU)引起的相应接通状态或关断状态时，将所述解调电路的所述输入与相应的电路分支的输出电连接或断开电连接；以及

-电容器(C1、C2)，所述电容器(C1、C2)电连接在相应的电路分支的所述输出与接地点之间，并且所述电容器(C1、C2)被配置和布置为当所述开关(SW1、SW2)处于所述接通状态时，利用循环通过所述开关(SW1、SW2)的电流被充电；

其中，所述后处理单元(PU)被配置为通过在所述控制单元(CU)的控制下测量储存在相应的充电的电容器(C1、C2)上的电荷的量来接收经采样的所述第一部分(S1o)和所述第二部分(S2o)；以及

其中，所述设备还包括至少一个复位电路，所述复位电路被配置和布置为在所述控制单元(CU)的控制下放掉储存在所述电容器(C1、C2)上的所述电荷。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述解调电路还包括电连接在所述GFET的所述输出(D)与所述高通滤波器(HF)之间的所述另一部件，其中，所述另一部件是跨阻或电容性跨阻放大器(A)。