[发明专利]半导体装置以及电力变换装置

说明书

半导体装置(1)具备：基板(10)，具有第1面(10A)；第1电极(14P)、第2电极(14AC)及第3电极(14N)，形成于第1面上；第1半导体元件(13a2、13b2)及第2半导体元件(13a1、13b1)，配置于基板(10)的内部；第1布线群，将第1电极与第1半导体元件之间电连接；和第4布线群，将第2半导体元件与第2电极之间电连接。第1布线群包括配设于基板的内部且在与第1面交叉的方向上延伸的第1连接部(17P)。第4布线群包括配设于基板的内部且在上述交叉的方向上延伸的第2连接部(17AC)。被设置成在电压被施加到第1电极与第3电极之间而在第2电极中流过电流时流经第1连接部的电流的朝向与流经第2连接部的电流的朝向成为相反方向。

技术领域

本发明涉及半导体装置以及电力变换装置。

背景技术

以往，已知用于电力变换装置的半导体装置。半导体装置还被称为功率半导体模块，作为半导体元件而具备IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)或者MOSFET(Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等。

在日本特开2016-146444号公报中，公开了以抑制布线电感的增加并且提高使功率半导体模块内置电子部件的设计的自由度为目的的半导体装置。该半导体装置具备绝缘基板、设置有半导体元件的主电流的通电电极的印刷基板、与该印刷基板层叠且安装有半导体元件的印刷基板以及将通电电极与半导体元件的电极进行连接的导电柱。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2016-146444号公报

发明内容

然而，在上述半导体装置中，层叠有多个印刷布线基板，所以布线的寄生电感未被充分地降低。因此，在半导体元件高速地进行开关动作时，超过半导体元件的耐压的浪涌电压被施加到半导体元件，半导体元件有可能会被损坏。

本发明的主要的目的在于，提供在高速开关动作时也实现高可靠性的半导体装置以及电力变换装置。

本发明的半导体装置具备：基板，具有第1面以及位于与第1面相反的一侧的第2面；第1电极、第2电极以及第3电极，形成于第1面上；第1半导体元件以及第2半导体元件，配置于基板的内部；第1布线群，将第1电极与第1半导体元件之间进行电连接；第2布线群，将第1半导体元件与第2电极之间进行电连接；第3布线群，将第3电极与第2半导体元件之间进行电连接；以及第4布线群，将第2半导体元件与第2电极之间进行电连接。第1布线群包括配设于基板的内部的第1连接部，该第1连接部在与第1面交叉的方向上延伸。第4布线群包括配设于基板的内部的第2连接部，该第2连接部在交叉的方向上延伸。被设置成如下：在电压被施加到第1电极与第3电极之间而在第2电极中流过电流时，流经第1连接部的电流的朝向与流经第2连接部的电流的朝向成为相反方向。

根据本发明，能够提供在高速开关动作时也实现高可靠性的半导体装置以及电力变换装置。

附图说明

图1是实施方式1的半导体装置的俯视图。

图2是从图1中的箭头II－II观察的剖面图。

图3是从图2中的箭头III－III观察的基板的仰视图。

图4是从图1中的箭头IV－IV观察的剖面图。

图5是从图1中的箭头V－V观察的剖面图。

图6是实施方式2的半导体装置的俯视图。

图7是从图6中的箭头VII－VII观察的剖面图。

图8是从图6中的箭头VIII－VIII观察的剖面图。

图9是实施方式3的半导体装置的俯视图。