[发明专利]含有高纯度石墨烯的覆膜体及该覆膜体的制造方法

权利要求书

1.一种覆膜体，该覆膜体具有基材、在所述基材的表面上形成的底漆层、及在所述底漆层上形成的一层或多层的氟树脂覆膜层，其特征在于，

所述基材为选自由构成电子器件或精密仪器的制造装置、化学反应槽、过滤槽、包括搅拌片的搅拌槽、贮存槽及蒸馏槽的部件组成的群组中的1种以上的基材，由选自由铁、铝、镍、铬、锰、钼、钛及铌组成的群组中的金属，或由选自该群组的2种以上金属形成的合金制得，

所述底漆层含有选自由PTFE、PFA及FEP组成的群组中的1种以上的氟树脂65质量％～85质量％、以及铬酸及磷酸15质量％～35质量％，所述氟树脂覆膜层含有选自由PTFE、PFA、FEP、ETFE、PCTFE及PVDF组成的群组中的1种以上的氟树脂80质量％～99质量％、以及高纯度石墨烯1质量％～20质量％，

所述氟树脂覆膜层具有200μm～2000μm的厚度，

所述高纯度石墨烯为具有无定形碳的含量为5.0质量％以下，且以所述高纯度石墨烯:PET树脂:溶剂＝1:2:40的比例进行混合，用搅拌器搅拌后进行涂层并将涂层的厚度控制在15μm，干燥后用4-探针法进行测定时的表面电阻率为1.0×10²Ω/sq～4.0×10²Ω/sq特性的石墨烯。

2.如权利要求1所述的覆膜体，其中，

所述覆膜体还具有在所述氟树脂覆膜层上形成的顶层，

所述顶层含有选自由PTFE、PFA、FEP、ETFE、PCTFE及PVDF组成的群组中的1种以上的氟树脂，

所述顶层具有10μm～300μm的厚度。

3.如权利要求1或2所述的覆膜体，其中，所述覆膜体在3.6质量％的盐酸200ml中浸渍了24小时时的金属的溶出量为每1m²覆膜体的表面积3.0μg～15μg。

4.如权利要求1或2所述的覆膜体，其中，所述高纯度石墨烯中，无定形碳的含量为3.0质量％以下。

5.一种覆膜体的制造方法，该制造方法包括

从基材的表面去除油脂的脱脂工序，

将脱脂后的基材表面进行粗化处理的喷砂工序，

在所述喷砂工序后的基材表面涂布底漆，通过干燥或烧制来形成底漆层的底漆层形成工序，以及

在所述底漆层上涂布含有高纯度石墨烯及氟树脂的涂料组合物后，实施一次以上通过烧制来形成氟树脂覆膜层的步骤的氟树脂覆膜层形成工序，其特征在于，

所述基材为用于选自由构成电子器件或精密仪器的制造装置、化学反应槽、过滤槽、包括搅拌片的搅拌槽、贮存槽及蒸馏槽的部件组成的群组中的1种以上的基材，由选自由铁、铝、镍、铬、锰、钼、钛及铌组成的群组中的金属，或为由选自该群组的2种以上金属形成的合金制得，

所述高纯度石墨烯为具有无定形碳的含量为5.0质量％以下，且以所述高纯度石墨烯:PET树脂:溶剂＝1:2:40的比例进行混合，用搅拌器搅拌后进行涂层并将涂层的厚度控制在15μm，干燥后用4-探针法进行测定时的表面电阻率为1.0×10²Ω/sq～4.0×10²Ω/sq特性的石墨烯，

在所述底漆层形成工序中，用含有选自由PTFE、PFA及FEP组成的群组中的1种以上的氟树脂65质量％～85质量％、以及铬酸及磷酸15质量％～35质量％的底漆来形成所述底漆层，

在所述氟树脂覆膜层形成工序中，用含有选自由PTFE、PFA、FEP、ETFE、PCTFE及PVDF组成的群组中的1种以上的氟树脂80质量％～99质量％、以及高纯度石墨烯1质量％～20质量％的涂料组合物来形成厚度为200μm～2000μm的所述氟树脂覆膜层。

6.如权利要求5所述的覆膜体的制造方法，其中，还包括在所述氟树脂覆膜层上涂布氟树脂，通过烧制来形成顶层的顶层形成工序，

所述顶层形成工序中，涂布选自由PTFE、PFA、FEP、ETFE、PCTFE及PVDF组成的群组中的1种以上的氟树脂来形成10μm～300μm厚度的所述顶层。

7.如权利要求5或6所述的覆膜体的制造方法，其中，所述高纯度石墨烯中，无定形碳的含量为3.0质量％以下。