[发明专利]半导体热电发生器在审
| 申请号： | 201980089750.1 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113330590A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | A·D·赫沃罗斯蒂安伊;A·根塞尔 | 申请（专利权）人： | 绿色能源未来有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L35/12 | 分类号： | H01L35/12;H01L35/28 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 吴珊;徐迅 |
| 地址： | 俄罗斯联邦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 热电 发生器 | ||
1.一种半导体热电发生器，包括被配置成从周围环境提取热量的半导体组件，所述半导体热电发生器包括至少一对互连的梯度带隙半导体，其中，至少一个梯度带隙半导体的宽带隙侧与至少另一个梯度带隙半导体的窄带隙侧连接，其特征在于，所述梯度带隙半导体之间的结使用半导体本征材料配置，所述梯度带隙半导体使用交替掺杂剂配置，而成对连接的梯度带隙半导体的宽带隙侧掺杂受主杂质。
2.根据权利要求1所述的半导体热电发生器，其特征在于，位于所述梯度带隙半导体之间的结中的其中一个所述梯度带隙半导体的窄带隙侧的边缘区域由半导体本征材料制成。
3.根据权利要求1所述的半导体热电发生器，其特征在于，在所述梯度带隙半导体之间的结中具有半导体本征材料的中间层，所述梯度带隙半导体通过所述中间层连接。
4.根据权利要求1所述的半导体热电发生器，其特征在于，所述半导体组件的外表面具有欧姆触点，并且一个端子连接到所述半导体组件的每个外表面。
5.根据权利要求1所述的半导体热电发生器，其特征在于，在具有欧姆触点的所述半导体组件外表面上，具有被配置成从热载体提取热量的接触元件，并且一个端子连接到所述半导体组件的每个外表面。
6.根据权利要求1所述的半导体热电发生器，其特征在于，所述半导体组件包括一对梯度带隙半导体，并且它们中的每一个具有宽带隙侧SiP和窄带隙侧Gej，所述宽带隙侧SiP包括掺杂有受主杂质的硅，所述窄带隙侧Gej包括本征锗，而一个所述梯度带隙半导体的窄带隙侧Gej连接另一个梯度带隙半导体宽带隙侧SiP，但不连接到作为所述半导体组件的外表面的梯度带隙半导体的互连侧，端子连接所述半导体组件的外表面，并且在所述外表面上具有欧姆触点。
7.根据权利要求1所述的半导体热电发生器，其特征在于，所述半导体组件包括一对梯度带隙半导体，其中一个梯度带隙半导体具有宽带隙侧SiP和窄带隙侧Gen，该宽带隙侧SiP包括掺杂有受主杂质的硅，该窄带隙侧Gen包括施主杂质的锗，另一个梯度带隙半导体具有宽带隙侧Sip和窄带隙侧Gej，该宽带隙侧Sip包括掺杂有受主杂质的硅，该窄带隙侧Gej包括本征锗，在一个梯度带隙半导体的窄带隙侧Gen和另一个梯度带隙半导体的宽带隙侧Sip之间具有本征锗Gei的中间层，所述梯度带隙半导体通过所述中间层连接，但不连接到与所述中间层连接的所述梯度带隙半导体的侧面，该侧面是所述半导体组件的外表面，端子连接所述半导体组件的外表面，并且所述外表面上具有欧姆触点。
8.根据权利要求1所述的半导体热电发生器，其特征在于，所述半导体组件包括一对梯度带隙半导体，且它们中的每一个具有宽带隙侧Sip和窄带隙侧Gen，该宽带隙侧Sip包括掺杂有受主杂质的硅，该窄带隙侧Gen包括掺杂有施主杂质的锗，在一个梯度带隙半导体的窄带隙侧Gen和另一个梯度带隙半导体的宽带隙带侧Sip之间具有本征锗Gei的中间层，所述梯度带隙半导体通过所述中间层连接，但不连接到与所述中间层连接的所述梯度带隙半导体的侧面，该侧面是所述半导体组件的外表面，端子连接所述半导体组件的外表面，并且所述外表面上具有欧姆触点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绿色能源未来有限责任公司，未经绿色能源未来有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980089750.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
