[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1芯片，具有第1半导体衬底、设置于所述第1半导体衬底的第1半导体元件、连接于第1半导体元件的第1配线层、及连接于所述第1配线层的第1焊垫；以及

第2芯片，具有第2半导体衬底、设置于所述第2半导体衬底的第2半导体元件、连接于所述第2半导体元件的第2配线层、及连接于所述第2配线层并且接合于所述第1焊垫的第2焊垫，

所述第1焊垫及所述第2焊垫中的至少一个具有与另一个焊垫接合的第1金属层、热膨胀率高于所述第1金属层的第2金属层、及设置于所述第1金属层与所述第2金属层之间的势垒金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第2金属层的平面积大于所述第1金属层的平面积。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

所述第2金属层包含铝。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1金属层包含铜。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述第1配线层或所述第2配线层与所述第2金属层之间，还具备与所述第2金属层为相同材料的接触插塞。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第2金属层设置于与属于所述第1配线层或所述第2配线层的配线相同的层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1金属层的厚度与所述第2金属层的厚度相同。

8.一种半导体装置的制造方法，

在第1芯片形成第1半导体衬底、设置于所述第1半导体衬底的第1半导体元件、连接于第1半导体元件的第1配线层、及连接于所述第1配线层的第1焊垫，

形成第2半导体衬底、设置于所述第2半导体衬底的第2半导体元件、连接于所述第2半导体元件的第2配线层、及连接于所述第2配线层的第2焊垫，且

将所述第1焊垫与所述第2焊垫接合，

在所述第1焊垫及所述第2焊垫中的至少一个，形成与另一个焊垫接合的第1金属层、热膨胀率高于所述第1金属层的第2金属层、及设置于所述第1金属层与所述第2金属层之间的势垒金属层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中

在所述第2金属层上形成孔部，所述孔部具有比所述第2金属层的平面积小的开口部的面积，在所述孔部内形成所述第1金属层。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其中

使用铝来形成所述第2金属层。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中

使用铜来形成所述第1金属层。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中

在所述第1配线层或所述第2配线层与所述第2金属层之间，形成与所述第2金属层为相同材料的接触插塞。

13.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中

在与属于所述第1配线层或所述第2配线层的配线相同的层，所述第2金属层与所述配线同时形成。

14.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中

所述第1金属层的厚度与所述第2金属层的厚度形成为相同。