[发明专利]具有晶片封端光学件的晶片检查系统

说明书

本发明涉及一种晶片检查系统，其使用UV和VUV辐射(11)工作且包括内部腔(17)，所述内部腔可配备有气体且其中尤其定位有由MgFsubgt;2/subgt;制成的光学元件(122)。为了用水的吸附膜覆盖光学元件，进气口(18)设置有到系统的内部腔中的控制的水馈送，其允许设定内部空间中1ppm至多于10ppm的水分压。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2018年12月7日提交的德国专利申请DE 102018221190.6的优先权，其全部内容通过引用并入本申请的内容中。

发明背景

本发明涉及一种在用于透射FUV/VUV波长范围内的辐射的(单)晶体基板、特别是离子基板的表面上形成纳米结构的方法。本发明还涉及一种具有晶体基板、特别是离子基板的光学元件，并且涉及一种晶片检查系统。

通常，在例如形式为晶片检查系统的光学系统中产生尽可能高的透射率是有利的。光学系统的透射率通常由于在光学元件与环境之间的界面处的吸收或——在透射光学元件的情况下——通过光学元件与环境之间的界面处的反射而降低。通过施加干涉层(抗反射涂层)或通过表面的纳米结构化，可以减少透射光学元件的表面处的反射。

通过(纳米)结构化减少透射光学元件表面处的反射提供的优点在于，可以使用通常成本效益好的方法来制造非常薄的表面层或结构，从而可以将反射几乎减少到零。然而，在在约200nm与约280nm之间的FUV波长范围和/或在约100nm与200nm之间的VUV波长范围的光学元件的情况下，通过常规蚀刻方法的纳米结构化典型地导致吸收增加，因为吸收性物质通过所使用的蚀刻掩模或通过所使用的蚀刻方法(等离子体蚀刻或化学湿法蚀刻)而被引入到多孔纳米结构中。此外，等离子体可能在表面的蚀刻材料中产生缺陷。此外，随后施加的自组装纳米结构或多孔结构通常含有过多的吸收性杂质，这导致透射率损失并且通常还会导致光学元件的寿命问题。

在FUV和/或VUV波长范围内，即波长在约100nm与约280nm之间的光学元件的纳米结构的产生期间，还存在的问题是，用于这样的光学元件的基板材料通常只能有难度地进行蚀刻。此外，与在可见波长范围内的波长下使用的光学元件相比较，需要具有显著更小的结构尺寸的纳米结构，该纳米结果的制造更加复杂。

在到表面中的大量能量输入(诸如在晶片检查系统中用FUV或VUV波长范围中的高能辐射辐照晶体材料、特别是离子晶体期间发生)的情况下，可能发生表面的更改，通常是表面的退化。相对于固体的体积，表面在能量上的状态更为不利。此外，制造表面期间的(最终)加工(研磨、抛光等)可能会在表面中引入缺陷，这些缺陷构成特别脆弱的点。这个问题特别地发生在用高能辐射辐照不完美的表面的期间，因为这样的表面的吸收率增加，使得在那里发生的能量输入明显大于在光学元件的基板的体积中发生的能量输入。

发明目的

本发明的目的是提供一种在表面上形成纳米结构的方法以及一种具有这种表面的光学元件，在该方法中尽可能不增加表面的吸收。本发明的另一个目的是提供一种晶片检查系统，其中在辐照期间光学元件的表面的退化被抵消。

发明内容

该目的根据第一方面通过引言中提到的类型的方法实现，该方法包括：提供基板的暴露的表面，所述暴露的表面不沿着具有最小表面能的晶格平面取向，并且引入能量输入到暴露的表面中以重新布置暴露的表面来形成纳米结构。

本发明的这个方面利用的事实是，(单)晶体基板的表面、特别是离子(单)晶体基板的表面，或其中净平面或晶格平面具有偶极特性的材料的表面，根据暴露的晶格平面在它们的表面能上具有很大差异。在形成纳米结构的方法中，基板的暴露的表面不是沿着具有最小表面能的晶体晶格平面延伸，而是典型地沿着不同的平面，或者具有偏离具有最小表面能的平面的多个平面，使得(多个)暴露的表面的表面能大于最小表面能。