[发明专利]具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置

权利要求书

1.一种设备，其包括：

存储器单元，其包含：

第一晶体管，其包含电荷存储结构和与所述电荷存储结构电性地分隔开的第一沟道区；以及

第二晶体管，其包含电耦合到所述电荷存储结构的第二沟道区；

第一数据线，其电耦合到所述第一沟道区；

第二数据线，其电耦合到所述第一沟道区；

第三数据线，其电耦合到所述第二沟道区，所述第二沟道区在所述电荷存储结构和所述第三数据线之间，所述第一、第二和第三数据线中的每一个包含在第一方向上延伸的长度；

第一存取线，其位于所述设备的第一层级上且通过第一电介质与所述第一沟道分隔开；

第二存取线，其位于所述设备的第二层级上且通过第二电介质与所述第二沟道分隔开，所述电荷存储结构位于所述设备的在所述第一和第二层级之间的一层级上，且所述第一和第二存取线中的每一个包含在第二方向上延伸的长度。

2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括

额外存储器单元，其包含：

第一额外晶体管，其包含额外电荷存储结构及与所述额外电荷存储结构电性地分隔开的第一额外沟道区；以及

第二额外晶体管，其包含电耦合到所述额外电荷存储结构的第二额外沟道区；

第四数据线，其电耦合到所述第一额外沟道区；

第五数据线，其电耦合到所述第二额外沟道区，所述第二额外沟道区在所述额外电荷存储结构和所述第五数据线之间，所述第四和第五数据线包含在所述第一方向上延伸的长度，其中，

所述第一存取线包含跨越所述第一沟道区的部分和所述第一额外沟道区的部分的部分；且

所述第二存取线包含跨越所述第二沟道区的部分和所述第二额外沟道区的部分的部分。

3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括衬底，其中所述存储器单元位于所述衬底上方，且所述第一存取线和所述衬底之间的距离小于所述电荷存储结构和所述衬底之间的距离。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一沟道区电耦合到所述第一额外沟道区。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一沟道区包含：

第一部分，其位于所述电荷存储结构的第一侧上；

第二部分，其位于所述电荷存储结构的第二侧上；以及

第三部分，其位于所述电荷存储结构和所述衬底之间。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一和第二沟道区包含不同材料。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含半导体材料。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷存储结构包含金属。