[发明专利]覆盖颗粒、包含其的分散液和成型体、以及使用其而形成的烧结体

权利要求书

1.一种覆盖SiC颗粒的制造方法，其具备如下工序：

氧化层去除工序，对SiC颗粒进行氧化层去除处理，形成每单位表面积的SiO₂的量不超过0.150mg/m²的、氧化层去除处理后的SiC颗粒；和，

覆盖层形成工序，使包含所述氧化层去除处理后的SiC颗粒、铝酸钠和水的分散液的pH为9以上且12以下的范围，形成在所述氧化层去除处理后的SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒，

所述覆盖层形成工序中的覆盖方法为下述的覆盖方法1或下述的覆盖方法2，

所述覆盖SiC颗粒包含所述氧化层去除处理后的SiC颗粒、和覆盖所述氧化层去除处理后的SiC颗粒的覆盖层，

所述覆盖层包含氢氧化铝，且

所述氧化层去除处理后的SiC颗粒的每单位表面积的SiO₂的量不超过0.150mg/m²，

覆盖方法1：其具备如下工序：工序(A)，分别准备包含所述氧化层去除处理后的SiC颗粒、碱和水、且pH为9以上且12以下的原料分散液(1)、以及包含铝酸钠和水的原料溶液(2)；和，工序(B)，在所述原料分散液(1)中添加所述原料溶液(2)和酸，维持pH为9以上且12以下的范围，形成在所述氧化层去除处理后的SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒；

覆盖方法2：其具备如下工序：工序(C)，准备包含所述氧化层去除处理后的SiC颗粒、铝酸钠和水的原料分散液(3)；和，工序(D)，在所述工序(C)中准备的原料分散液中添加酸，使pH为10以上且12以下的范围，从而形成在所述氧化层去除处理后的SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒。

2.根据权利要求1所述的覆盖SiC颗粒的制造方法，其中，所述覆盖方法1中，所述碱为选自由氨、氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸氢铵、碳酸铵、碳酸氢钾、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸钠、氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丁基铵、甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、六亚甲基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、无水哌嗪、哌嗪六水合物、1-(2-氨基乙基)哌嗪、N-甲基哌嗪、胍、咪唑和三唑组成的组中的至少1种。

3.根据权利要求1所述的覆盖SiC颗粒的制造方法，其中，从所述氧化层去除处理中所述SiC颗粒的氧化层去除开始至所述覆盖层形成工序中形成所述覆盖SiC颗粒为止，维持分散在分散介质中所述SiC颗粒、所述氧化层去除处理后的SiC颗粒和所述覆盖SiC颗粒的状态。

4.一种分散液的制造方法，其中，包括通过权利要求1～3中任一项所述的制造方法制造覆盖SiC颗粒，

所述分散液包含所述覆盖SiC颗粒和分散介质。

5.一种成型体的制造方法，其中，包括通过权利要求1～3中任一项所述的制造方法制造覆盖SiC颗粒，

所述成型体由包含所述覆盖SiC颗粒的组合物形成。

6.一种烧结体的制造方法，其中，包括通过权利要求1～3中任一项所述的制造方法制造覆盖SiC颗粒或通过权利要求5所述的制造方法制造成型体，

所述烧结体为所述覆盖SiC颗粒或所述成型体的烧结体。